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陈后鹏

作品数:238 被引量:53H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 194篇专利
  • 43篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 51篇电子电信
  • 41篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程

主题

  • 126篇存储器
  • 123篇电路
  • 97篇相变存储
  • 92篇相变存储器
  • 40篇读出电路
  • 38篇相变
  • 30篇电流
  • 29篇电压
  • 18篇灵敏放大器
  • 16篇芯片
  • 16篇功耗
  • 16篇充电
  • 15篇电源
  • 15篇电阻
  • 15篇选通
  • 14篇电荷泵
  • 14篇电容
  • 13篇脉冲
  • 10篇嵌入式
  • 9篇相变材料

机构

  • 226篇中国科学院
  • 12篇上海交通大学
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇中山电力工业...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇同济大学
  • 1篇科技公司
  • 1篇上海天玑数据...
  • 1篇上海市纳米科...

作者

  • 238篇陈后鹏
  • 225篇宋志棠
  • 92篇李喜
  • 81篇王倩
  • 65篇雷宇
  • 63篇陈小刚
  • 58篇蔡道林
  • 32篇陈一峰
  • 27篇金荣
  • 23篇胡佳俊
  • 22篇丁晟
  • 22篇李顺芬
  • 18篇许林海
  • 17篇富聪
  • 15篇张怡云
  • 14篇李晓云
  • 11篇林争辉
  • 11篇许伟义
  • 10篇刘波
  • 9篇王玉婵

传媒

  • 19篇微电子学
  • 8篇上海交通大学...
  • 3篇计算机辅助设...
  • 2篇电路与系统学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇微电子测试
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 7篇2023
  • 6篇2022
  • 21篇2021
  • 10篇2020
  • 19篇2019
  • 15篇2018
  • 17篇2017
  • 19篇2016
  • 18篇2015
  • 13篇2014
  • 27篇2013
  • 26篇2012
  • 17篇2011
  • 9篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2004
  • 2篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
238 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有配置电路的相变存储器芯片
本发明提供一种具有配置电路的相变存储器芯片,至少包括:存储阵列、行译码器单元、列译码单元、列选择器单元、驱动电路单元、敏感放大器单元、地址缓冲锁存单元、数据缓冲锁存单元、逻辑控制单元、以及配置电路单元。其中,所述配置电路...
蔡道林陈后鹏宋志棠
文献传递
行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法
本发明提供一种行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法,所述类脑芯片中,连线模拟神经元网格中的突触,其中横向连线代表神经元的树突,纵向连线代表神经元的轴突;信号处理核心代表神经元细胞体的功能,其位于行列连线的对角线交叉位...
宋志棠陈小刚李喜宋三年陈后鹏
文献传递
一种相变存储器读出电路及方法
本发明提供一种相变存储器读出电路及方法,包括存储数据的目标相变存储单元阵列;非晶态参考相变存储单元列;晶态参考相变存储单元列;以及灵敏放大器。初始阶段,将非晶态参考相变存储单元置为非晶态,将晶态参考相变存储单元列置为晶态...
雷宇陈后鹏李喜宋志棠
文献传递
一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
2011年
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。
陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅
关键词:相变存储器非易失性存储器
一种1kb相变存储芯片的设计被引量:1
2011年
以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。
丁晟宋志棠陈后鹏蔡道林陈一峰王倩陈小刚刘波谢志峰
关键词:存储器相变存储器
用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵
2011年
针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2~4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。
富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇
关键词:电荷泵DC-DC变换器相变存储器
基于PCRAM主存应用的内存管理方法
本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法,应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中,该内存管理方法是:将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存,系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存;于C...
陈小刚李顺芬陈一峰许林海陈后鹏丁晟宋志棠
文献传递
带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计被引量:1
2017年
分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.
胡佳俊陈后鹏王倩李喜苗杰雷宇宋志棠
关键词:相位裕度电源转换效率
非易失存储器灵敏放大器及相变存储器
本发明提供一种非易失存储器灵敏放大器及相变存储器,包括:控制模块,产生第一控制信号及第二控制信号;低功耗模块,在外部使能信号失效时关闭比较模块;第一读取电压模块,在外部使能信号起效时读取被选中存储单元的读取电流并转化为第...
雷宇陈后鹏宋志棠
基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统
本发明提供一种基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统,应用于嵌入式设备的操作系统中,其至少包括:一中央处理器及一具有CPU状态备份区和用以存储内存动态信息的系统RAM区的非易失随机存储器,该中央处理器接收到休眠...
陈小刚李顺芬陈一峰许林海陈后鹏金荣宋志棠
文献传递
共24页<12345678910>
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