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陈宏伟

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇多孔
  • 1篇多孔二氧化硅
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化硅
  • 1篇相变
  • 1篇相变滞后
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇SIO

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇何海平
  • 1篇王玉霞
  • 1篇陈宏伟

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米AgI-多孔SiO_2复合材料的制备及其性能研究被引量：3
2003年
用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果表明 ,复合体系中AgI为β,γ相混晶结构 ,其粒径在 2 0～ 40nm之间。AgI -SiO2 复合体系的光谱吸收边与纯AgI及纯SiO2 不同。复合体系的室温电导率比纯AgI提高约 1～ 2个数量级 ,同时AgI的α β相变点滞后约 13℃。用界面效应和变形极化效应解释了体系电导率的提高 。
王玉霞何海平陈宏伟
关键词：多孔二氧化硅相变滞后
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共1页<1>
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