陈长勇
- 作品数：14 被引量：85H指数：5
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- CdIn_2O_4薄膜的AES分析被引量：2
- 1995年
- 利用ＡＥＳ方法研究了ＣｄＩｎ２Ｏ４膜的成分分布。膜中的Ｃｄ、Ｉｎ和Ｏ成份随Ｏ浓度的变化而变化，并对股的电学性质有重要影响。
- 陈长勇廖克俊王万录
- 关键词：射频溅射
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响被引量：3
- 2002年
- 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 .
- 王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯
- 关键词：微结构发光快速热退火
- 掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究被引量：7
- 2003年
- 采用背散射 (RBS) 沟道 (channeling)分析和傅里叶变换红外光谱 (FT IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光 (PL)特性 .背散射 沟道分析结果表明 :随退火温度的升高 ,薄膜中辐照损伤减少 ;但当退火温度达到1 0 0 0℃ ,薄膜中的缺陷又明显增加 .Er浓度随注入深度呈现高斯分布 .通过沿GaN的 <0 0 0 1 >轴方向的沟道分析 ,对于 90 0℃ ,30min退火的GaN :Er样品 ,Er在晶格中的替位率约 76 % .光谱研究表明 :随退火温度的升高 ,室温下样品的红外PL峰强度增加 ;但是当退火温度达到 1 0 0 0℃ ,样品的PL峰强度明显下降 ;测量温度从 1 5K变化到 30 0K时 ,样品 (90 0℃ ,30min退火的GaN :Er)的 1 540nm处PL温度猝灭为 30 % .
- 宋淑芳周生强陈维德朱建军陈长勇许振嘉
- 关键词：GAN光致发光晶体结构
- 注铒a-SiO_x∶H中Er^(3+)发光与薄膜微观结构的关系被引量：1
- 2002年
- 采用光致发光 (PL )谱和傅里叶变换红外 (FTIR)谱研究了掺铒 a- Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H〈 Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化 .PL 谱的测量结果表明 :薄膜在 1.5 4 μm的 Er3+发光和 75 0 nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势 ,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系 .FTIR谱的分析表明 :a- Si Ox∶ H薄膜是一种两相结构 ,富硅相镶嵌在富氧相中 .两者的成分可近似用 a- Si Ox≈ 0 .3∶ H和 a- Si Ox≈ 1 .5∶ H表示 ,前者性质接近于氢化非晶硅 (a- Si∶ H ) ,后者性质接近于 a- Si O2 .富硅相在退火中的变化对 Er3+ 的发光强度有重要影响 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉郭少令
- 关键词：ER^3+光学性质
- 掺稀土半导体光电特性和应用被引量：1
- 2002年
- 结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。
- 陈维德陈长勇宋淑芳许振嘉
- 关键词：半导体光电特性硅基材料铒氮化镓
- 掺铒GaN薄膜光致发光的研究被引量：3
- 2002年
- 采用傅立叶变换红外光谱(FT IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性。光致发光谱(PL)的测量结果表明:选用退火时间长的电阻加热退火炉退火,有利于薄膜中晶格损伤的恢复。MOCVD,MBE两种方法制备的GaN薄膜,注入铒,退火后的PL谱形状基本一样;薄膜中O,C的含量越大,可能导致1539nm处的PL强度越强。不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大,在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30%。MBE生长的GaN Al2O3样品,注入铒、退火后,当测量温度从15K变化到300K时,样品发光的温度猝灭是30%。
- 宋淑芳陈维德陈长勇许振嘉
- 关键词：GAN薄膜GAN铒光致发光氮化镓
- 掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质被引量：5
- 2005年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-S i在800 nm的发光强度比来自a-S iOx∶H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-S iOx∶H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-S iOx∶H薄膜中S i颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Ram an散射等的测量结果,进一步明确指出a-S i颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-S i同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。
- 陈维德陈长勇卞留芳
- 关键词：离子注入纳米硅富硅氧化硅
- 偏压对金刚石膜成核过程的影响
- 1996年
- 金刚石膜与天然金刚石类似,具有许多优异的特性,可广泛用于机械、光学和电子等领域.目前已用各种CVD技术制备出了可供实际应用的金刚石膜.这些技术遇到的一个主要问题是怎样提高成核密度和质量.特别是在异质衬底材料(如Si)上如何控制核化密度和貌相,从而达到异质外延生长金刚石膜.为了实现这一目的人们采取了各种方法和措施,如在沉积膜前对Si衬底进行划痕或在金刚石粉末溶液中进行超声波处理;用化学腐蚀或沉积非晶碳过渡层等.最近研究发现,对衬底加负偏压可大大提高成核密度.在微波等离子体CVD法中对衬底加负偏压后,在不经任何处理的抛光Si片上金刚石成核密度达10^(10)cm^(-2).并且利用此方法已成功地在Si衬底上实现了异质外延或织构生长金刚石膜.然而至今对热灯丝CVD法沉积金刚石膜中加负偏压增强成核密度研究的还不多.本文对热灯丝CVD负偏压法增强成核问题进行了实验研究,并对其结果进行了讨论.热灯丝CVD法沉积金刚石膜装置同文献[3]中的一样,衬底材料是Si(100),首先对硅衬底分别在丙酮和乙醇中分别进行超声处理,然后在50%HF溶液中腐蚀2min,去除天然氧化硅,接着用去离子水冲洗数次,最后用甲醇超声处理烘干后放入反应室中抽真空以备实验.沉积条件为衬底温度850℃,灯丝温度2000～2400℃。
- 王万录廖克俊张振刚陈长勇
- 关键词：金刚石膜偏压CVD
- 射频反应溅射CdIn_2O_4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响被引量：5
- 1996年
- 采用射频反应溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了ＣｄＩｎ２Ｏ４薄膜，报道了在不同氧浓度下该膜的透射率和折射率随波长的变化关系。发现氧浓度越高，膜透射率越低，而消光系数、折射率相应地越大。对这些结果从ＣＩＯ膜的晶格常数、载流子浓度等角度进行了理论分析。
- 吴彬王万录廖克俊陈长勇王宏张振刚
- 关键词：氧化物薄膜
