韩福斌
- 作品数：28 被引量：48H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 电子元器件屏蔽技术的理论与实验研究
- 本文首先介绍了美国SEI公司器件封装屏蔽技术的现状;分析了屏蔽技术所应用的辐射环境,空间辐射环境的电子、人为辐射环境的X射线可以采用屏蔽技术提高器件的抗辐射能力.介绍了我们目前在屏蔽技术方面的理论和实验工作,并给出了在我...
- 郭红霞陈雨生韩福斌林东生何宝平周辉龚建成
- 关键词：屏蔽电子元器件
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- 热释光剂量计能量响应特性研究
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1-1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子...
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：蒙特卡罗方法剂量计Γ射线
- 双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟被引量：3
- 2002年
- 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
- 郭红霞陈雨生张义门周辉吴国荣林东升韩福斌关颖龚建成
- 关键词：CMOS器件X射线半导体器件
- 存储器硬X射线损伤效应实验
- 本文给出了大规模集成电路浮栅ROM、SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出其相同累积剂量时X光辐...
- 郭红霞韩福斌陈雨生罗剑辉龚建成谢亚宁黄宇营何伟胡天斗
- 关键词：阈值
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- 不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁的二维数值模拟被引量：8
- 2002年
- 利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应,详细地给出了器件正常工作、失效直至烧毁的全过程。
- 郭红霞周辉陈雨生张义门龚仁喜关颖韩福斌龚建成
- 关键词：电磁脉冲漂移扩散模型PN结电子元器件
- DPF-300脉冲X射线源同步触发系统研制
- 2007年
- DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号，通过耦合电容，到达开关的触发脉冲上升沿，约为40ns，脉冲半高宽约60ns，上升陡度大于0．67kV／ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关，电压工作范围20～40kV，不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4ns，同一发次不同开关的放电时间分散性小于20ns。在工作电压20kV，主放电开关充0．115MPa氮气时。整机负载电流达到约1MA。
- 梁天学关颖蒯斌丛培天林东生韩福斌杨善潮张众
- 关键词：触发开关
- 热释光剂量计能量响应特性研究被引量：3
- 2005年
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：热释光剂量计Γ射线蒙特卡罗方法
- MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质被引量：3
- 2003年
- 通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 。
- 郭红霞张义门陈雨生周辉龚仁喜何宝平关颖韩福斌龚建成
- 关键词：MOS器件费米能级辐照阈值电压漂移
- X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算被引量：6
- 2001年
- 用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高 Z材料二次电子的贡献 。
- 郭红霞张义门陈雨生周辉龚建成吴国荣林东升韩福斌
- 关键词：MONTE-CARLO方法半导体封装材料集成电路X射线
- 低注量X射线中屏蔽电缆的系统电磁脉冲响应研究被引量：1
- 2005年
- 介绍了在低注量X光条件下进行电缆的系统电磁脉冲实验研究的方法。将DPF低注量脉冲X光响应实验与实验室电流注入方法相结合,对典型实用电缆的系统电磁脉冲响应情况进行了实验研究,结果表明该方法对于电缆的研究是切实可行的,克服了由于缺乏高注量X光装置带来的困难。
- 李宝忠周辉程引会林东升韩福斌吴伟钟玉芬
- 关键词：电缆
