马和良
- 作品数：22 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目上海市国际科技合作基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 单片UHF RFID阅读器中VCO及其预分频器设计被引量：2
- 2008年
- 提出了一种应用于860～960MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的低相位噪声CMOS压控振荡器(VCO)及其预分频电路。VCO采用LC互补交叉耦合结构,利用对称滤波技术改善相位噪声性能,预分频电路采用注入锁定技术,用环形振荡结构获得了较宽的频率锁定范围。电路采用UMC0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:VCO输出信号频率范围为1.283～2.557GHz,预分频电路的频率锁定范围为66.35%,输出四相正交信号。芯片面积约为1mm×1mm,当PLL输出信号频率为895.5MHz时,测得其相位噪声为-132.25dBc/Hz@3MHz,电源电压3.3V时,电路消耗总电流为8mA。
- 陈子晏谢传文陈磊马和良张润曦赖宗声景为平
- 关键词：低相位噪声阅读器压控振荡器
- 单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计
- 2010年
- 设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。
- 何伟徐萍张润曦张勇李彬陈子晏马和良赖宗声
- 关键词：互补金属氧化物半导体电感电容压控振荡器超高频射频识别
- 基于802.11a/b/g WLAN接收机前端的射频集成压控振荡器设计被引量：3
- 2008年
- 为了满足WLAN接收机前端要求,设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g协议的RF零中频接收机第一本振3.846GHz压控振荡器.该振荡器采用TSMC0.25μm RFCMOS工艺实现,利用Hajimiri相位噪声模型对结构进行了优化,具有低相位噪声的特性.通过Cadence Spectre仿真,结果表明文中设计的3.846GHz压控振荡器功耗为10mW,1MHz和3MHz载频处的相位噪声分别为-120dBc/Hz和-131dBc/Hz,调谐电压Vtune在0~2.5V之间变化时,频率可调范围为600MHz,其性能完全符合IEEE 802.1l a/b/g协议的要求.
- 陈磊马和良赖宗声景为平
- 关键词：射频集成电路相位噪声
- 一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关
- 本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关，其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构，利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层，显著降低串扰和最小化寄生电容，更好地屏蔽衬底噪声，在开关两端得...
- 陈磊周进赖宗声马和良田亮黄爱波王超顾彬阮颖崔建明
- 文献传递
- 433MHz ASK接收机中低噪声放大器的设计被引量：1
- 2008年
- 采用UMC0.18μm标准CMOS工艺设计了一款433MHz ASK接收机中的LNA电路,采用差分带源极负反馈的共源共栅结构,实现单输入双输出,与混频器级联时,避免了使用外接平衡转换器。测试结果表明,该放大器的噪声系数为1.65dB,增益则达到了18.2dB,因此将很大程度上提高了整个接收机的噪声性能。同时输入输出匹配分别达到了-28dB和-24dB,IIP3也达到了-9.8dBm,在1.8V的电源电压下,功耗为6.5mW。芯片的尺寸为0.6mm×0.9mm。
- 马和良陈元盈沈怿皓张润曦俞建国赖宗声
- 关键词：低噪声放大器CMOS噪声系数增益
- 单片UHF RFID阅读器中频率综合器的研究
- 2009年
- 根据EPC global C1G2射频协议要求以及我国的射频识别协议草案,提出了一种应用于860~960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的3阶II型电荷泵锁相环(CPPLL)频率综合器,其输入参考频率为250 kHz。电路采用MOSIS IBM 0.18μm RF/MM CMOS工艺,仿真结果表明:锁相环输出频率范围为760 MHz^1.12 GHz,锁相环输出频率为900 MHz时,相位噪声为-113.1 dBc/Hz@250 kHz,-120.4 dBc/Hz@500 kHz。电源电压3.3 V,消耗总电流9.4 mA。
- 陈子晏张润曦石春琦陈磊马和良赖宗声景为平
- 关键词：频率综合器电荷泵锁相环阅读器超高频射频识别
- 用于无线局域网的双频段低噪声放大器被引量：2
- 2009年
- 采用0.18μmCMOS工艺设计并制造了一款新型的应用于无线局域网的双频段低噪声放大器。设计中,通过切换输入电感和负载电感,来使电路分别工作在2.4GHz和5.2GHz频段。在1.8V的电源电压下,在2.4GHz和5.2GHz两个频段上,其增益分别达到了11.5dB和10.2dB,噪声系数分别是3dB和5.1dB。芯片总面积是0.9mm×0.65mm。
- 马和良陈磊张润曦赖宗声
- 关键词：双频段低噪声放大器无线局域网
- 一种全差分E类功率放大器
- 本发明公开了一种全差分E类功率放大器，该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路，即差分输入对是Bipolar器件，交叉耦合对是NMOS管，采用两级结构，第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行...
- 陈磊田亮赖宗声马和良周进黄爱波王超顾彬阮颖崔建明
- 文献传递
- 双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器
- 一种双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器，属于射频低噪声放大器的技术领域。该放大器在背景技术的双频段低噪声放大器的基础上将放大5.2GHz信号的模式改成了共栅放大模式，去除一个电感，增加一个由MOS管构成的5.2GH...
- 马和良陈磊赖宗声张润曦雷奥何伟徐萍张勇李斌
- 文献传递
- WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计被引量：1
- 2010年
- 介绍了一个基于IBM0.18μmCMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA)。通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5GHz低噪声放大器进行设计和优化。测试结果表明,当电源电压为1.8V时,消耗电流为6.5mA,增益达到10dB,输入匹配达到-18dB,噪声为4.29dB,线性度IIP3为4dBm。
- 石春琦马和良张润曦赖宗声
- 关键词：低噪声放大器静电放电
