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黄志俊
作品数:
1
被引量:12
H指数:1
供职机构:
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院先进焊接与连接国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
金属学及工艺
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合作作者
杨士勤
哈尔滨工业大学材料科学与工程学...
黄永宪
哈尔滨工业大学材料科学与工程学...
田修波
哈尔滨工业大学材料科学与工程学...
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真空科学与技...
年份
1篇
2005
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等离子体浸没离子注入(PIII)过程中初始离子阵鞘层尺度内各物理量的时空演化
被引量:12
2005年
等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种较新的、廉价的、非视线的技术。靶体被浸没在等离子体中,等离子体中的离子在靶体负脉冲偏压的作用下注入靶体而实现材料的表面改性。为了描述等离子体浸没离子注入过程,我们引用了一维粒子模型(PIC)对其进行了数值模拟,该模型通过求解空间电势的Poisson方程,电子的Bolzmann分布以及离子在网格中受力运动的Newton运动方程来完成。本文重点研究了一个初始离子阵鞘层内电势、离子浓度、离子注入靶体的速度和动能以及离子流密度的时空演化规律。
黄永宪
田修波
杨士勤
黄志俊
Ricky Fu
Paul K.Chu
关键词:
等离子体浸没离子注入
子阵
物理量
离子流密度
脉冲偏压
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