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龚道本

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：中南民族学院电子信息工程学院物理系更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程

主题

  • 3篇电容
  • 3篇硅
  • 2篇电容器
  • 1篇等效电容
  • 1篇调节器
  • 1篇定时器
  • 1篇压控电容
  • 1篇压控电容器
  • 1篇整流接触
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒电容
  • 1篇特性分析
  • 1篇无触点
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇功率
  • 1篇功率调节
  • 1篇功率调节器
  • 1篇光电
  • 1篇光电转换

机构

  • 4篇中南民族学院
  • 3篇华中师范大学

作者

  • 7篇龚道本

传媒

  • 4篇中南民族学院...
  • 3篇半导体光电

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
紫外敏感硅光伏二极管的光电转换特性的研究
1999年
在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖｏｃ的新方法，通过该器件在有光照时的Ｃ－Ｖ曲线与无光照时的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该器件在正、反向偏压下均具有光伏效应。
龚道本
关键词：光伏效应光电转换硅光生电压
MIS电容器的平带电容的计算
1996年
研究半导体表面态常用Ｃ－Ｖ法，关键是要确定ＭＩＳ电容器的平带电容（ＣＦＢ）的值。通常确定ＣＦＢ的方法是根据所测得的绝缘层电容（最大电容）Ｃｉ和衬底杂质浓度──ＮＡ或ＮＤ去查找以ＮＡ或ＮＤ作参变量的（ＣＦＢ／Ｃｉ）－Ｃｉ曲线族求出ＣＦＢ来，无须计算，这是方便的。但这种曲线族往往手头上没有，且查找曲线方法本身误差较大。文中推导出公式（Ａ）和公式（Ｂ），可用有关量直接精确计算出ＣＦＢ。
龚道本
关键词：电容器
紫外敏感硅光伏二极管的正向特性被引量：4
1998年
通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性与一般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型—─两个背靠背的二极管和一个电阻的串联，能很好地解释该器件的正反向特性。
龚道本
关键词：肖特基势垒二极管势垒电容整流接触
一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析被引量：1
1997年
提出了一种新型的电容器———ＰＩＰ电容器，它是一种压控电容器，通过控制外加电压（Ｖ）可以控制其电容（Ｃ）的值。电容在Ｖ＝０附近出现峰值Ｃｍａｘ，且随着｜Ｖ｜的增加Ｃ总是减少的，这是一种新型的电子器件。
龚道本
关键词：等效电容
利用MSOS电容器测量a-Si:H薄膜的厚度
1996年
由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H薄膜的厚度d_(?),提出了一种新的测量a-Si:H簿膜厚度的方法——电容测厚法,它有如下优点:①测量数据可靠;②精度较高,可达±8nm;③测量范围较大。
龚道本
关键词：半导体厚度硅
无触点功率调节器的设计
1997年
提出了一种新型的安全的无触点大功率调节装置，功率从设备的最小功率到最大功率连续可调，使用安全可靠。
龚道本
关键词：功率调节器定时器调节器
MSOS电容器的研制及其C－V特性分析
1996年
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ．
龚道本
关键词：C-V特性压控电容器
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