余相仁
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 供职机构：大连理工大学化工与环境生命学部更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>
- 钛片电化学抛光工艺及耐蚀性研究
- 2011年
- 以含氯离子的乙二醇溶液为抛光液,研究了槽压、温度、时间对钛片表面电化学抛光效果的影响,得到电化学抛光的最佳工艺为:槽压30V,温度50°C,时间180s。采用扫描电镜、Tafel极化曲线及表面粗糙度测试等方法,研究了电化学抛光后钛片的表面形貌、耐蚀性、粗糙度等性能,同时与传统的机械抛光及化学抛光方法进行了比较。结果表明,该工艺抛光效果优于传统抛光方法,经电化学抛光处理后的钛片,维钝电流密度和腐蚀电流密度均降至最低,耐蚀性能最优。
- 钱备李淑英范洪强余相仁张琳
- 关键词：钛片电化学抛光表面形貌耐蚀性粗糙度
- 钛阳极氧化膜的半导体特性及腐蚀行为被引量：1
- 2011年
- 目前,国内外还鲜见有关金属钛阳极氧化膜半导体特性与腐蚀行为的报道。采用极化曲线、交流阻抗和Mott-Schottky曲线研究了TA2硫酸和磷酸阳极氧化膜的腐蚀性能和半导体特性。结果表明:在1%NaCl溶液中,钛阳极氧化膜的自腐蚀电位升高,自腐蚀电流密度降低,耐蚀性能提高;氧化电压对氧化膜的厚度有较大影响;磷酸阳极氧化膜在低频区阻抗更大;2种阳极氧化膜都是n型半导体,磷酸阳极氧化膜的载流子密度较小,平带电位更负。
- 钱备李淑英范洪强余相仁张琳
- 关键词：阳极氧化膜钛材
- 铜表面硬脂酸自组装膜的制备及耐腐蚀性能被引量：5
- 2011年
- 应用自组装技术在Cu(OH)2纳米柱/CuO微花阶层结构表面制备硬脂酸自组装膜(SAM),运用电化学阻抗谱探讨了形成自组装膜的较佳浓度和自组装时间,通过极化曲线和循环伏安法考察了硬脂酸自组装膜在0.1mol/LNaCl溶液中对铜电极的缓蚀性能。结果表明,当CuO/Cu(OH)2电极在8mmol/L硬脂酸溶液中自组装24h时,得到的硬脂酸自组装膜能显著提高铜电极的耐蚀性;与裸铜电极相比,SAM-CuO/Cu(OH)2电极的腐蚀电流降低了2个数量级,缓蚀效率达到98.81%。
- 余相仁李淑英范洪强钱备张琳
- 关键词：铜电极硬脂酸自组装膜电化学阻抗谱极化曲线
- 铜表面烷基羧酸自组装膜制备及耐蚀性能研究
- 自组装单分子膜（Self-assembled monolayer, SAM）是活性分子通过化学键自发地吸附在固体界面上形成的具有一定取向且排列紧密的有序单层分子膜。作为一种温和条件下简单方便的成膜方法,自组装成膜技术是目...
- 余相仁
- 关键词：自组装单层膜金属腐蚀与防护量子化学计算
- 文献传递
- 黄铜表面硅烷自组装膜在氯化钠溶液中的耐蚀性被引量：8
- 2011年
- 采用自组装技术在黄铜表面分别制备γ-巯基丙基三甲氧基硅烷(PropS-SH)、十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)、氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)和γ-氯丙基三甲氧基硅烷(CPTMS)自组装膜,并分别采用电化学极化法、接触角测试和傅里叶红外光谱研究硅烷膜的耐蚀性、疏水性和结构。结果表明:经PropS-SH、DTMS和CPTMS硅烷化处理后,黄铜的耐蚀性均有提高。PropS-SH在黄铜表面形成化学吸附,同时Si─O─Si以交联形式形成硅烷膜,阻碍了溶解氧向电极表面扩散,故耐蚀性最优,黄铜经PropS-SH硅烷化后,在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的腐蚀电流密度为0.2μA/cm2,缓蚀效率达到97.4%。
- 张琳李淑英范洪强钱备余相仁
- 关键词：黄铜硅烷自组装膜氯化钠耐蚀性
