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刘哲

作品数：40 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇自支撑
  • 12篇刻蚀
  • 10篇纳米
  • 9篇基底
  • 9篇光刻
  • 8篇光刻胶
  • 6篇图案
  • 6篇离子束辐照
  • 6篇金属
  • 6篇衬底
  • 5篇掩膜
  • 5篇绝缘
  • 4篇等离子体
  • 4篇折叠
  • 4篇偏振
  • 4篇偏振器
  • 4篇离子束
  • 4篇发光
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇短接

机构

  • 40篇中国科学院
  • 2篇天津大学

作者

  • 40篇刘哲
  • 37篇顾长志
  • 25篇李俊杰
  • 16篇杨海方
  • 15篇夏晓翔
  • 10篇李无瑕
  • 9篇崔阿娟
  • 8篇尹红星
  • 3篇杜硕
  • 2篇唐成春
  • 2篇全保刚
  • 2篇金爱子
  • 1篇田士兵
  • 1篇刘宝利
  • 1篇孙鹏
  • 1篇金凌

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 10篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2011
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
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低密度分立硅锥的无掩膜制备方法和所制备的分立硅锥
本发明涉及低密度分立硅锥的无掩膜制备方法和所制备的分立硅锥。根据一实施例，一种制备分立硅锥的方法可包括：提供单晶硅片；以及对所述单晶硅片进行感应耦合等离子体ICP刻蚀，从而得到分立的硅锥。本发明的方法无需使用掩膜，并且一...
耿广州李俊杰刘哲夏晓翔顾长志
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基于三维折叠超材料的圆偏振器及其制造方法
本发明涉及基于三维折叠超材料的圆偏振器及其制造方法。根据一实施例，一种圆偏振器可包括：衬底；以及形成在所述衬底上的多个谐振单元，每个谐振单元包括：第一折叠部，包括第一基底和形成在所述第一基底上的第一谐振图案，所述第一基底...
顾长志杨盛焱刘哲李俊杰
基于薄膜材料的三维自支撑微纳米功能结构的制备方法
本发明是基于薄膜材料的三维自支撑微纳米功能结构的制备方法，其包括步骤：在清洗过的光滑衬底上过渡层的制备；制备纳米薄膜并从光滑衬底上剥离纳米薄膜；制备具有孔洞结构的支撑衬底；将纳米薄膜到孔洞结构支撑衬底上的转移；在纳米薄膜...
李无瑕崔阿娟刘哲顾长志
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用...
杨海方尹红星顾长志刘哲夏晓翔
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一种自对准双层图形结构及其制备方法
本发明提供了一种自对准双层图形结构及其制备方法，属于二维微纳器件制造领域。该方法包括：提供一基底，分别在基底的上表面和下表面施加光刻胶，以形成第一和第二光刻胶层；按照预定图形用选定能量束对第一光刻胶层进行曝光，其中，能量...
刘哲潘如豪杜硕李俊杰顾长志
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自支撑介质薄膜及其制备方法
本发明公开了一种自支撑介质薄膜及其制备方法。包括：提供第一衬底，并在第一衬底上依次形成第一和第二牺牲层；将第一衬底及第一和第二牺牲层置于液体溶剂中，将第一牺牲层溶解，从而使得第二牺牲层与第一衬底分离并悬浮在液体溶剂中；第...
刘哲李俊杰顾长志夏晓翔杨海方
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一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
自支撑三维器件及其制备方法
本发明公开了一种自支撑三维器件及其制备方法。包括：S1：提供一具有基本平坦的上表面的自支撑绝缘介质薄膜；S2：在绝缘介质薄膜的上表面上形成导电层和至少一个具有预定图案的器件单元，以形成一复合层结构；S3：对复合层结构进行...
刘哲李俊杰崔阿娟李无瑕顾长志
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一种小周期阵列结构的制备方法
本发明公开了一种小周期阵列结构的制备方法，涉及二维微纳器件技术领域。所述制备方法用于在衬底上制备小周期阵列结构，包括：步骤一，在衬底上旋涂光刻胶；步骤二，在光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形，得到光刻胶图形，其中，所...
顾长志潘如豪李俊杰刘哲唐成春杨海方
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