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卢卫芳

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇半导体
  • 3篇纳米带
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光效
  • 3篇光效率
  • 3篇发光
  • 3篇发光效率
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片结构
  • 2篇纳米孔
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘体
  • 2篇发光层
  • 2篇发光器件
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇半导体发光器...
  • 2篇背离
  • 2篇锗

机构

  • 9篇厦门大学
  • 4篇嘉庚创新实验...

作者

  • 9篇卢卫芳
  • 4篇陈松岩
  • 4篇黄诗浩
  • 3篇李成
  • 2篇赖虹凯
  • 1篇严光明
  • 1篇李成
  • 1篇汤梦饶
  • 1篇黄巍
  • 1篇王尘

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种LED芯片结构及其制备方法
本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有...
卢卫芳王梦童包洋黄凯李金钗杨旭张荣
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用I...
李成卢卫芳黄诗浩林光杨陈松岩
文献传递
一种LED芯片及其制备方法
本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层...
卢卫芳包洋王梦童黄凯李金钗杨旭张荣
一种LED芯片结构及其制备方法
本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度...
卢卫芳王梦童包洋黄凯李金钗杨旭张荣
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
2013年
金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
关键词：比接触电阻率
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用I...
李成卢卫芳黄诗浩林光杨陈松岩
文献传递
具有张应变的绝缘体上锗薄膜的制备方法
具有张应变的绝缘体上锗薄膜的制备方法，涉及一种制备具有张应变的绝缘体上锗(GOI)薄膜的方法。在SOI衬底上生长一层Si/SiGe/Si三明治结构；对Si/SiGe/Si三明治结构进行光刻、刻蚀处理后，再沉积保护层，然后...
李成黄诗浩卢卫芳赖虹凯陈松岩
文献传递
绝缘体上锗(GOI)纳米带的制备及其应变机理研究
绝缘体上锗(GOI)材料具有高迁移率、在光通信波段大的吸收系数、与成熟的硅工艺兼容等特点，被认为是未来Si基集成高效光源及下一代微电子器件的重要材料之一。然而Ge的间接带特性是发光器件面临的最大挑战，因此无论是应用于Si...
卢卫芳
关键词：有限元分析全息光刻压应变
文献传递
一种LED器件及其制备方法
本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少...
卢卫芳刘春煜黄凯李金钗杨旭张荣
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