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周易: 作品数：51 被引量：40H指数：5; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学交通运输工程建筑科学更多>>

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我的爷爷,生于1929: 2019年; 我的爷爷叫周玉,出生于1929年12月,是一名革命老兵,曾任海安县曲塘镇党委副书记。爷爷1946年7月加入中国共产党,1948年11月参加淮海战役,1949年4月参加渡江战役。; 周易; 关键词：爷爷党委副书记中国共产党淮海战役渡江战役

128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3: 2012年; 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.; 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力; 关键词：长波红外探测器 GASB 焦平面阵列

320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器被引量：5: 2015年; 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10^(10) cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.; 白治中徐志成周易姚华城陈洪雷陈建新丁瑞军何力; 关键词：INAS/GASB 超晶格焦平面

太湖湿地公园生态系统文化服务评价与游览者属性特征影响因子研究: 2022年; 生态系统文化服务连接人类社会和自然环境,与其实际供给与受益者,即人类的自身特征有关。研究受益人特征对生态系统文化服务供给的影响对公园的优化管理有重要意义。本文以太湖周边25个湿地公园为研究区,采用问卷调查法调研生态系统文化服务特征,采用结构方程模型探讨文化服务受益者属性对湿地公园生态系统文化服务供给的影响。研究结果表明,所有公园都能较好提供娱乐服务、美学服务和休憩放松服务,但历史文化服务和科普教育服务则提供不足。受益者的教育水平、收入、性别和年龄因素对他们感知到的生态系统文化服务供给有明显影响。其中,教育水平与历史文化、教育科研两类服务呈负相关关系,即受教育程度越高,对这两项服务的评价越低;收入与娱乐、教育科研两类服务呈负相关关系,即收入越高,对这两项服务的评价越低;相对于男性,女性对休憩放松服务的评价更高;年龄与娱乐、休憩放松两类服务成正相关,即年龄越大,对这两项服务的评价越高。该研究结果可为湿地公园的景观优化设计与管理提供参考依据。; 周易周易白杨郭雪艳白杨; 关键词：太湖湿地公园

基于圆弧型悬臂微桥工艺的静电调谐滤波器及其制备方法: 一种基于圆弧型悬臂微桥工艺的静电调谐滤波器及其制备方法，电调谐滤波器由下而上依次的硅衬底层、底部“回”字形金电极层、空气悬空层、顶部“S”形硅桥面层和顶部金“插指”电极层构成；硅顶部桥面层的桥面悬臂拐角和桥腿固定连接处为...; 应翔霄周易周建田惠莲陈建新

新型锑化物带间级联红外探测器: 红外探测器的小型化是未来重要的发展趋势，其中，提高探测器的工作温度是其关键.光子型红外探测器具有高灵敏度、高响应速度、高帧频等特点，如能提高其工作温度，使得光子型红外系统实现小尺寸、低功耗，将有重要的现实意义.采用新型量...; 周易陈建新徐志成潘建珍黄爱波田源徐庆庆陈洪雷丁瑞军何力

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量：2: 2019年; 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。; 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新; 关键词：刻蚀焦平面

InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量：5: 2012年; InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。; 徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力; 关键词：INAS/GASB 超晶格红外探测器分子束外延

长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11: 2013年; 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.; 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力; 关键词：暗电流