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周立兵
作品数:
3
被引量:10
H指数:1
供职机构:
武汉邮电科学研究院
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘文
武汉邮电科学研究院
吴国阳
武汉邮电科学研究院
王定理
武汉邮电科学研究院
张亮
武汉大学物理科学与技术学院
李承芳
武汉大学物理科学与技术学院
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刘文
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光学学报
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2篇
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单片集成光器件关键技术研究
江山
张军
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时伟
刘涛
张靖
周立兵
刘应军
徐健
唐明星
唐琼
曹丽
许敏
该项目采用自主开发软件建立了一套集模拟仿真与CAD功能于一体的光电集成器件设计软件平台;开发了包括MOCVD外延、光刻、腐蚀、光栅等各道工艺的RWG、DC-PBH类型单片集成芯片关键工艺技术和光电集成相关的凸点flip ...
关键词:
关键词:
单片集成
光器件
光电集成
一种亚波长偏振分波/合波器的研制
被引量:9
2006年
针对传统偏振分束器窄波段、窄角度范围的不足,研制了一种在宽波段宽角度范围内具有180°分光功能的偏振分束器/耦合器。该器件基于线栅偏振器和亚波长光栅结构原理设计,利用半导体工艺的刻蚀技术制作。利用一维金属线栅对入射电磁波的偏振响应和亚波长光栅仅存在零级衍射的特性,实现了较宽的通带宽度与可接受角度范围、极大的分光角度、高消光比和低插入损耗。实验测得透射、反射消光比均大于20 dB,插入损耗小于0.5dB。通过自行搭建的微结构测试平台,测量了p、s光的透射率、反射率随入射角度变化的曲线,和严格耦合波理论模拟结果符合。深入分析了制作中的过刻蚀对性能产生的影响。
张亮
李承芳
刘文
周立兵
吴国阳
王定理
关键词:
集成光学
反应离子刻蚀
严格耦合波理论
亚波长光栅
消光比
二氧化硅光波导刻蚀参量及掩膜的优化(英文)
被引量:1
2005年
硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经网络模型.利用一种新型的用于二氧化硅深刻蚀的复合双层掩膜结构,克服了许多单层掩膜自身的限制,并利用这一结构制作出低传输损耗的硅基二氧化硅波导.
周立兵
刘文
吴国阳
关键词:
反应离子刻蚀
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