孙洵
- 作品数:125 被引量:255H指数:11
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- KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究
- 2004年
- 目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.
- 李云南房昌水孙洵顾庆天王圣来王坤鹏王波刘冰张建芹
- 关键词:生长习性透过率KDP晶体
- KDP(DKDP)晶体中液相包裹散射的形成被引量:6
- 2002年
- 利用原子力显微镜(AFM)观察、研究了杂质对KDP(DKDP)晶体中液相包裹散射形成的影响.对液相散射形成机理和溶液过饱和度的影响进行了探讨,结果表明杂质和溶液的过饱和度是加重晶体散射的重要原因.
- 孙洵孙大亮许心光王正平付有君王圣来曾红李毅平于锡玲高樟寿
- 关键词:KDPDKDP磷酸二氘钾晶体光学散射机理磷酸二氢钾
- 一种特殊切角的BBO晶体、一种三倍频光学变频器及其工作方法
- 本发明涉及一种特殊切角的BBO晶体、一种三倍频光学变频器及其工作方法,当基频光波长从750nm逐渐增加到1200nm过程中,BBO晶体的相位匹配角θ从42.1°‑52.1°逐渐减小到24.2°‑34.2°,BBO晶体的方...
- 王正平任宏凯亓宏伟许心光孙洵吴志心王梦霞
- 文献传递
- 特殊切角的宽带倍频器件及应用
- 本发明涉及特殊切角的宽带倍频器件及应用,属于激光与非线性光学领域。所述特殊切角对于YCOB晶体为(113°,25.9°),对于GdCOB晶体为(114.1°,32°)。当基频光中心波长位于1550‑1700nm范围内,按...
- 王正平赵学志于法鹏许心光孙洵王新乐
- 有机聚合物材料折射率色散的研究被引量:5
- 2000年
- 用V-棱镜折射率仅通过对3-(1,1-二氰基噻吩)-1-苯-4,5-二羟基H-噻唑(DCNP)与聚醚酮(PEK-c)组成的主客掺杂聚合物溶液的折射率的测量,在利用了Lorenz-Lorentz局域场的情况下,计算出了聚合物体系的折射率。由Sellmeyer色散方程对所测聚合物体系折射率的模拟,得到了聚合物体系折射率的色散曲线。聚合物折射率的测量精度约为0.7%,而且聚合物与溶剂的折射率大的差值和聚合物在溶液中高的体积百分比有益于测量精度的提高。
- 史伟房昌水尹鑫潘奇伟孙洵顾庆天秦自楷
- 关键词:折射率色散
- K_2Al_2B_2O_7(KABO)晶体的倍频性质被引量:1
- 2003年
- 研究了KABO晶体的倍频性质 ,包括相位匹配角、非线性光学系数、容限角、走离角等 .当基频光为 6 .5mJ的10 6 4nm皮秒激光时 ,KABO晶体的倍频输出为 1.92mJ,相应转换效率为 2 9.5 % ,其有效非线性光学系数约为 0 .4pm V .
- 王正平孙洵张承乾许心光杜晨林许贵宝胡大伟刘均海王继扬邵宗书
- 关键词:倍频
- 一种基于单块KDP晶体级联光学变频的激光器及其工作方法
- 本发明涉及一种基于单块KDP晶体级联光学变频的激光器及其工作方法,包括沿光路依次安放的泵浦源、光阑、衰减系统、倍频切向的KDP晶体、第一滤色片,第二滤色片;本发明单块倍频切向的KDP晶体实现了倍频和受激拉曼散射的级联光学...
- 王正平吴志心许心光孙洵任宏凯张立松
- 文献传递
- Gd_xY_(1-x)Ca_4O(BO_3)_3晶体非临界相位匹配波长的研究被引量:1
- 2001年
- 根据YCa4O(BO3) 3(YCOB) ,GdCa4O(BO3) 3(GdCOB)的折射率拟合方程 ,分析了GdxY1 -xCOB可实现非临界相位匹配的波长范围 .利用 70 4 5型光参量放大器 ,测量了非临界相位匹配波长随组分x的变化关系 .
- 王正平许心光孙洵傅琨宋仁波王继扬刘耀岗魏景谦邵宗书
- 关键词:非线性光学激光光源
- 退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究被引量:8
- 2004年
- 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。
- 王圣来王波张光辉牛爱芹尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
- 关键词:热退火KDP晶体消光比
- 不同波长三倍频DKDP晶体的激光损伤被引量:4
- 2010年
- 采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKDP晶体的最大问题在于其抗光伤阈值低于KDP晶体,严重限制了激光输出的能量密度和晶体使用寿命。考察了不同波长下三倍频DKDP晶体的损伤阈值,以及激光退火效应。实验表明,激光退火对于DKDP晶体的损伤阈值有显著的提升作用,基频、倍频、三倍频的提升效果分别达到1.4,1.9,2.7倍,是改善DKDP晶体抗光伤能力的有效途径。
- 刘宝安孙绍涛季来林赵元安胡国行徐明霞高慧王正平孙洵许心光
- 关键词:三倍频激光损伤激光退火