孟坚
- 作品数：78 被引量：60H指数：4
- 供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学自然科学总论更多>>
- 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路
- 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，包括四个PMOS管P0~P3，六个NMOS管N0~N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个...
- 柏娜吴秀龙谭守标李正平孟坚陈军宁徐超代月花仇名强
- CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施被引量：1
- 2013年
- 目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍，进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识，我们知道对闩锁效应的抑制或者预防是完全可以做到的，这可以通过对版图设计规则和对CMOS工艺技术的改进而达到。文章最后根据闩锁效应的产生条件给出了几种预防闩锁效应的措施。
- 贾琼孟坚
- 关键词：CMOS集成电路闩锁效应
- 基于随机游走策略的社区发现方法
- 本发明公开了一种基于随机游走策略的社区发现方法，其主要包括网络初始化、随机游走和社区倾向性分析三部分内容。本发明的特征在于其解决了现有社区发现方法的以下问题：1)只能得到网络在某个单一层次下的社区结构，而不能完整地给出网...
- 蔺智挺吴秀龙陈军宁孟坚徐超李正平谭守标
- 文献传递
- 集成电路设计EDA实验课程的教学优化被引量：4
- 2012年
- 根据教学经验,阐述了对《集成电路设计EDA实验》课程教学的优化。这些优化包括课程开设时间、先前理论课程重点内容的复习、基于工业界主流EDA工具的实验平台的搭建和教学实例的选择。课程优化后的教学充分调动了学生学习的积极性,增强了学生的动手能力,使学生从整体上掌握了集成电路设计的流程,并与工业界接轨,提高了就业竞争力,达到了预期效果。
- 徐太龙孟坚
- 关键词：集成电路设计教学优化EDA工具
- SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究被引量：4
- 2005年
- SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对SOI LDMOS 的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF 原理的应用。
- 吴秀龙陈军宁孟坚高珊柯导明
- 关键词：击穿电压SOILDMOS功率器件
- LDMOS的可靠性和温度特性研究
- 随着功率集成电路飞速发展，功率半导体器件也取得了飞快的进步，市场应用也逐步扩大。高压体硅LDMOS作为功率DMOS器件的一种横向高压器件非常适用于功率集成电路。这是因为：一方面LDMOS具有很高的击穿电压和良好的导通特性...
- 孟坚
- 关键词：LDMOS功耗可靠性温度特性
- 文献传递
- 天线效应的产生及修复
- 随着现代半导体集成电路工艺的发展,栅的尺寸和氧化层的厚度越来越小,然而互连线的长度却有增加的趋势,这就造成了与之相关的天线效应越来越显著。本文介绍了天线效应的原理,以及修复方法。
- 王文兵柯导明陈军宁孟坚
- 关键词：天线效应
- 文献传递
- 一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元
- 本发明公开了一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元，该控制单元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4与NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏极与所述NMOS管N3的漏极相连，...
- 蔺智挺耿杨吴秀龙龚才李正平谭守标孟坚陈军宁
- 文献传递
- 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路
- 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路，包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块，其特征是：可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制...
- 柏娜吴秀龙谭守标李正平孟坚陈军宁徐超洪琪周燕
- 文献传递
- 一种SRAM位线漏电流补偿电路
- 一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，包括两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电...
- 谭守标吴秀龙柏娜李正平孟坚陈军宁徐超高珊李瑞兴
- 文献传递
