张研
- 作品数：5 被引量：19H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金河北省教育厅科学技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程一般工业技术更多>>
- SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响被引量：8
- 2010年
- 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。
- 孙增标刘玉岭刘效岩闫宝华张研
- 关键词：化学机械抛光去除速率
- Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究被引量：2
- 2010年
- 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。
- 张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华
- 关键词：镁铝合金化学机械抛光
- 抛光液各组分在SiO_2介质CMP中的作用机理分析被引量：3
- 2010年
- 介绍了超大规模集成电路中SiO2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色。通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等成分在SiO2介质化学机械抛光中的具体作用及影响机理。最终得出,最优化的实验配比,即当表面活性剂的浓度为30mol/L,pH值为11.30,硅溶胶与去离子水的体积比为2:1时,在保证较低表面粗糙度的同时得到了较高的抛光速率476nm/min。
- 梁蒲檀柏梅刘玉岭张研陈婷
- 关键词：化学机械抛光抛光液抛光速率表面粗糙度
- 太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进被引量：6
- 2009年
- 通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化对金字塔绒面微观形貌的影响做了分析。最终通过大量实验得到,用质量分数为4%的Na2SiO3和2%的Na3PO4混合溶液在78℃腐蚀60min,单晶Si片表面可获得最佳反射率为11.98%的减反射绒面。单晶Si片表面的反射率优于单独使用Na2SiO3溶液腐蚀,更重要的是制得了很好的均匀性表面。
- 闫宝华檀柏梅刘玉岭孙增标申晓宁张研
- 关键词：单晶硅太阳电池绒面各向异性腐蚀
- Al-Mg/W-Mo合金化学机械抛光技术研究
- 王胜利李振霞牛新环檀柏梅边征张研江炎孙业林
- Al-Mg/W-Mo等合金材料表面加工过去以单一机械切削或研磨抛光为主，加工精度较低，表面粗糙度只能达到微米级，成为制约进一步精密化发展的“瓶颈”之一。该项目将半导体制造中化学机械抛光(CMP)技术拓展到精密物理实验特定...
- 关键词：
- 关键词：化学机械抛光
