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张绵

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇GAAS
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇砷化镓
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇可靠性
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇FET
  • 2篇GAAS_P...
  • 2篇MESFET
  • 1篇低频振荡
  • 1篇电离
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声性能
  • 1篇振荡
  • 1篇砷化镓晶体
  • 1篇砷化镓晶体管
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇阈值电压

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇中华人民共和...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 6篇张绵
  • 2篇韩晓亮
  • 2篇刘红侠
  • 2篇郝跃
  • 2篇郑雪峰
  • 1篇叶甜春
  • 1篇李培咸
  • 1篇张利民
  • 1篇李云
  • 1篇胥兴才
  • 1篇李兵
  • 1篇赵静
  • 1篇李岚
  • 1篇谢常青
  • 1篇赵玲莉
  • 1篇刘训春
  • 1篇陈大鹏
  • 1篇陈朝晖
  • 1篇王云生

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2000
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
2000年
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。
张绵王云生李岚白锡巍
关键词：半绝缘GAAS低频振荡FET噪声性能
GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法被引量：8
2004年
测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移 .空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,可以对 Ga As
刘红侠郑雪峰郝跃韩晓亮李培咸张绵
关键词：高电子迁移率晶体管阈值电压碰撞电离
GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响被引量：1
2004年
通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响, 表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降。分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法。
李云张利民李岚张绵
关键词：GAASMESFET击穿
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
2000年
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
2003年
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。
刘红侠郑雪峰韩晓亮郝跃张绵
关键词：高电子迁移率晶体管PHEMT器件可靠性评估GAAS砷化镓晶体管
短栅长FET的实验研究
随着GaAsMESFET栅长的缩短,器件出现异于长栅器件的特性.理论工作者对短栅器件物理开展了研究,修正了肖克莱模型并提出了若干新模型.本文以此为依据,通过器件模拟、材料结构设计、短栅器件制备和微波探针器件测试分析等途径...
张绵
关键词：GAASMESFET材料结构
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