曹伟伟
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技支撑计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量：4
- 2013年
- 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。
- 曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨
- 关键词：发光二极管(LED)光效
- Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量：1
- 2014年
- 为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES)研究了欧姆接触的微观结构,比较了不同的金属电极的反射特性。结果表明,Ag(50nm)/Au(100nm)和n-ZnO薄膜的欧姆接触在退火温度为500℃时最好,欧姆接触电阻率仅为5.2×10-4Ω·cm-2,且其反射特性比其它金属电极好。
- 邓叶王晓东朱彦旭曹伟伟刘飞飞杜志娟于宁
- 关键词：AGAU欧姆接触
- ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量：1
- 2013年
- 在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。
- 朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋
- 关键词：氮化镓
- 基于微动元调制 GaN HEMT 沟道电流的红外探测器
- 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波...
- 朱彦旭曹伟伟郭伟玲徐晨
- 高压LED阵列电学特性的优化方法的研究
- 2016年
- 高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。
- 王红航杜志娟刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟
- 关键词：氮化镓电极参数光输出功率电学特性
- AlGaN/GaN HEMT器件的制备研究
- AlGaN/GaN HEMT以其较高热导率，耐腐蚀和抗辐射性能，在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下超强的优势已经成为射频微波、电力电子等领域的重要研究对象。 本论文主要研究了AlGaN/GaN HEMT器件制...
- 曹伟伟
- 关键词：欧姆接触肖特基接触
- 基于微动元调制 GaN HEMT 沟道电流的红外探测器
- 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波...
- 朱彦旭曹伟伟郭伟玲徐晨
- 文献传递
- LED的散热灯具
- 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器...
- 朱彦旭郭伟玲曹伟伟
- LED的散热灯具
- 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器...
- 朱彦旭郭伟玲曹伟伟
- 文献传递
- 一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管
- 本实用新型涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本实用新型包括上侧电极，高光提取的窗口层结构，接触层，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧电极，以及下侧半导体限制层；上侧电极，高...
- 朱彦旭刘建朋李翠轻曹伟伟丁艳
- 文献传递
