曹伟伟
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 无硫化过程磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质研究
- 2014年
- 使用Cu2ZnSnS4(CZTS)靶材,通过射频磁控溅射方法镀膜,不经后期硫化处理,在钠钙玻璃衬底上沉积了锌黄锡矿结构的CZTS薄膜材料。在薄膜的沉积过程中,衬底温度分别为300,400和500℃。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、能量色散X射线光谱仪和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜样品的微观形貌、晶体结构、元素成分、光学性质等进行了研究。分析讨论了衬底温度对样品的表面形貌、晶体结构、化学成分、光吸收系数和禁带宽度的影响关系。结果表明,在衬底温度为500℃条件下沉积得到的CZTS薄膜样品,具有较好的锌黄锡矿晶体结构,晶粒大小为23 nm,光吸收系数在可见光范围内高于1×104cm-1,禁带宽度为1.49 eV。
- 杨海刚张基东郝瑞亭曹伟伟李美成常方高
- 关键词：禁带宽度磁控溅射衬底温度
- 全薄膜电致变色元件的制备及其光学性能研究
- 2013年
- 采用磁控溅射法在单层玻璃基片上制备了由多层薄膜构成的电致变色元件,通过XRD、SEM等对薄膜及元件的晶体结构、表面形貌等进行了表征分析。采用可见光透射谱,研究了元件的电致变色性能。结果表明,较低的基片温度和较大的靶基距是采用磁控溅射制备电致变色元件的两个很重要的因素。所制备的全薄膜电致变色元件在处于漂白态和着色态时,对可见光的透过率分别达到了47.19%和15.67%,对光的透射率调节范围为31.52%。该全薄膜电致变色元件在电致变色智能窗领域具有较大的应用潜力。
- 杨海刚詹华伟张基东曹伟伟宋桂林常方高
- 关键词：ITO磁控溅射
