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曹均凯
作品数:
2
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供职机构:
重庆光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
但伟
重庆光电技术研究所
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文献类型
2篇
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2篇
电子电信
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晶闸管
1篇
高压晶闸管
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光电
1篇
光电二极管
1篇
光开关
1篇
光开关器件
1篇
二极管
1篇
干法腐蚀
1篇
PIN
机构
2篇
重庆光电技术...
作者
2篇
曹均凯
1篇
但伟
传媒
2篇
半导体光电
年份
1篇
2000
1篇
1990
共
2
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高压光开关器件的设计
2000年
详细叙述了一种高压光电晶闸管的结构及参数设计 ,用最优化方法确定出长基区宽度 ,选取了最佳的工艺途径及材料参数。简单介绍了实验研究及结果 ,并进行了简要的讨论。
曹均凯
但伟
关键词:
光开关
高压晶闸管
干法腐蚀损伤研究
1990年
采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。
曹均凯
关键词:
PIN
光电二极管
干法腐蚀
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