您的位置: 专家智库 > >

朱律均

作品数:20 被引量:104H指数:9
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 17篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 15篇缓蚀
  • 13篇电化学
  • 10篇光电化学
  • 9篇聚天冬氨酸
  • 9篇缓蚀剂
  • 9篇缓蚀作用
  • 7篇化学研究
  • 6篇
  • 4篇自组装
  • 4篇自组装膜
  • 4篇钨酸
  • 4篇钨酸钠
  • 4篇白铜
  • 3篇单分子
  • 3篇单分子膜
  • 3篇分子
  • 3篇分子膜
  • 2篇电结晶
  • 2篇射线衍射
  • 2篇自组装单分子...

机构

  • 20篇上海大学
  • 14篇上海电力学院
  • 6篇厦门大学

作者

  • 20篇朱律均
  • 15篇曹为民
  • 15篇徐群杰
  • 11篇印仁和
  • 10篇万宗跃
  • 9篇周国定
  • 6篇林昌健
  • 2篇胡滢
  • 2篇石新红
  • 2篇陈浩
  • 1篇王慧娟
  • 1篇李春香
  • 1篇单贞华
  • 1篇曾绍海
  • 1篇薛雷刚
  • 1篇姬学彬
  • 1篇齐航
  • 1篇董晓明
  • 1篇张磊

传媒

  • 4篇物理化学学报
  • 4篇第十四次全国...
  • 3篇金属学报
  • 2篇化学学报
  • 1篇化工学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇裕祥杯第十届...

年份

  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2004
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
模拟水中白铜B30耐蚀性影响因素的光电化学研究被引量:12
2007年
用动电位伏安法和光电化学方法对模拟水中白铜B30耐蚀性影响因素进行了研究.白铜B30表面膜显示p-型光响应,光响应来自电极表面的Cu2O层,在模拟水溶液中表面膜的半导体性质会发生转变,由p-型转为n-型;在不同Cl-,SO24?浓度的模拟水溶液中,电位正向扫描时呈现阳极光电流,电位负向扫描时随着Cl-,SO24?离子浓度的增加,光响应由p-型向n-型转变,阳极光电流峰面积与阴极光电流峰面积之比增大,耐蚀性能降低;随着温度的升高,白铜B30的耐蚀性能降低;在pH=7~9之间,其耐蚀性能随着pH的升高而提高,当pH>9时,其耐蚀性能随着pH的升高呈降低趋势.
徐群杰万宗跃印仁和朱律均曹为民周国定林昌健
关键词:光电化学
Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究被引量:12
2008年
用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu_2O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu_2O膜会受轻微Cl^-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5—15 g/L)时,Cu_2O膜会受Cl^-较严重的侵蚀,Cl^-掺杂使Cu_2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量Nacl(大于15 g/L)时,Cu_2O膜完全被Cl^-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用,当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl^-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl^-对Cu_2O膜的掺杂,Cu_2O受到了保护仍为p型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl^-竞争吸附只能削弱Cl^-对Cu_2O膜的掺杂,Cu_2O膜仍受Cl^-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu_2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.
徐群杰朱律均齐航曹为民周国定
关键词:CU光电化学缓蚀剂聚天冬氨酸
Co/Pd纳米多层膜的制备及其磁性能被引量:1
2008年
以单晶Si(111)为基底,采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜,使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化.通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理,得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程.X射线衍射(XRD)研究表明,Co和Pd的结晶与生长显示择优取向,出现了111c—Pd的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能,所得磁滞回线表明:矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0×10^4A/m.
曹为民陈浩石新红朱律均姬学彬张磊印仁和
关键词:电结晶X射线衍射电化学石英晶体微天平磁滞回线
聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究被引量:7
2008年
用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液(pH=9.2)中,表面的Cu2O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu2O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu2O膜的p-型光电流增大。p-型光电流越大,缓蚀性能越好。当PASP浓度为3mg·L-1时,Cu2O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好。Cl-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu2O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差。
朱律均徐群杰曹为民万宗跃印仁和周国定林昌健
关键词:聚天冬氨酸光电化学缓蚀剂
植酸自组装膜对白铜缓蚀作用的光电化学研究
自组装膜(SAMs)是在固体基底表面上借助化学键合自发地形成的有序分子膜.将缓蚀剂分子自组装在金属表面,形成致密、有序的单分子膜即可阻挡环境介质对基底的侵蚀,保护基底金属免遭腐蚀,与传统的缓蚀技术相比,具有用量少、缓蚀效...
徐群杰万宗跃朱文捷印仁和朱律均李春香
关键词:自组装膜植酸白铜缓蚀作用光电化学
文献传递
聚天冬氨酸与钨酸钠复配对黄铜缓蚀作用的光电化学研究被引量:13
2009年
应用光电化学的方法研究了两种环境友好型缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)和钨酸钠(Na2WO4)的单一配方及其复配对黄铜在含硼砂硼酸缓冲溶液的模拟水中的缓蚀作用.结果表明,在光电流循环伏安测试中,单一的PASP与Na2WO4均能够使黄铜表面Cu2O膜引起的p-型光电流响应增大,这说明缓蚀剂增大了Cu2O膜的厚度,使黄铜的腐蚀速率减小.单一的PASP与Na2WO4的最佳添加浓度分别为20与25mg·L-1.若以总浓度为20mg·L-1时对两者进行复配,当PASP与Na2WO4的质量比为1∶1时,两者复配比单一使用时的p-型电流光响应都更大,黄铜的腐蚀更小,即缓蚀剂的效果更好.
徐群杰单贞华朱律均曹为民周国定
关键词:黄铜钨酸钠聚天冬氨酸光电化学
植酸自组装单分子膜对白铜B30缓蚀作用的研究被引量:11
2007年
用一种环境友好型金属处理剂植酸在白铜B30表面制备了自组装单分子膜(SAMs),研究了该膜在3%NaCl中对白铜B30的缓蚀作用。通过交流阻抗法和极化曲线法的研究表明,在酸性和碱性环境中,植酸SAMs对白铜B30均有良好的缓蚀效果,其对白铜B30的缓蚀效果在酸性环境中要优于碱性环境;且组装时间6h效果最好,缓蚀率为84.87%,同时分析表明其缓蚀机理为化学吸附过程。
印仁和万宗跃徐群杰曹为民朱律均
关键词:自组装膜白铜交流阻抗极化曲线
铜的腐蚀与缓蚀的光电化学研究
用光电化学方法研究了铜在不同浓度的NaCl中的腐蚀与缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对铜的缓蚀作用。铜在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为p-型半导体。当铜所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面...
徐群杰朱律均曹为民
关键词:光电化学缓蚀剂聚天冬氨酸铜腐蚀
文献传递
流动槽滴入法电结晶制备铜钴纳米多层膜
2007年
在硼酸镀液体系中采用流动槽滴入法电结晶制得Cu/Co纳米多层膜,通过循环伏安法确定Cu、Co电结晶电位,分别为-0.55V和-1.05V(vs.SCE),通过X射线衍射技术(XRD)和X射线荧光光谱法(XRF)对Cu/Co纳米多层膜的结构、成份进行了分析。并用物性测量系统PPMS测试了Cu/Co多层膜的磁性能,结果表明:电结晶制备的Cu/Co多层膜的矫顽力比较小,仅为34 Oe,适合作巨磁阻磁头材料,其磁电阻随磁场强度的增大而减小,且约在3000 Oe时磁电阻趋于饱和,此时的巨磁阻效应GMR值达到了14%.
曹为民石新红印仁和朱律均胡滢
关键词:电结晶X射线衍射GMR
铜缓蚀剂聚天冬氨酸的光电化学研究
随着人类环保意识的增强,缓蚀剂的开发与应用越来越重视环境保护的要求.聚天冬氨酸(PASP)是一种绿色水处理药剂,具有良好的可生物降解性。它不仅制造过程是绿色的,原料天冬氨酸也是可从自然界提取的,而且能全部生物降解成无毒性...
徐群杰朱律均单贞华曹为民万宗跃李春香
关键词:聚天冬氨酸光电化学缓蚀剂
文献传递
共2页<12>
聚类工具0