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李宋

作品数:13 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电气工程经济管理电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇锚点
  • 6篇军事
  • 6篇军事领域
  • 4篇压阻
  • 4篇压阻式
  • 4篇轴力
  • 4篇感器
  • 4篇触点
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇BCB
  • 2篇导通
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇动触点
  • 2篇悬臂
  • 2篇悬臂梁
  • 2篇旋涂
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇竖直

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇李宋
  • 12篇张威
  • 12篇苏卫国
  • 5篇陈广忠
  • 2篇郑焕
  • 2篇江少波
  • 1篇李雷
  • 1篇万松
  • 1篇夏文

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新型MEMS电容式加速度计温度补偿电路
本发明公开一种集成温度补偿模块的电容式加速度计读出电路。传统的读出电路在电荷放大器后级对输出进行校正,信号放大的同时,噪声也放大相同的增益。本发明公开的读出电路采用不同的处理办法:温度补偿模块通过改变相应可变电容的容值来...
万松张威苏卫国李宋陈广忠徐楷斯
文献传递
梳齿式硅微加速度计的结构设计与工艺研究
微机电系统(Micor Electro—Mechanical Systems,MEMS)是建立在微米/纳米技术上发展起来的2l世纪前沿技术,它融合了硅微加工、LIGA技术和精密机械加工等多种微加工技术,并应用现代信息技术...
李宋
关键词:微机电系统硅微加速度计微纳米加工
一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采...
张威周浩楠戴啸宁沈唯真苏卫国李宋陈广忠
文献传递
一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法
本发明公开了一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括:可动电极和固定电极;可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、第一锚点和触点;固定电极包括第二锚点和悬臂梁。本发明的微冲击开关,固定电极采用多对...
张威苏卫国邓康发李宋周浩楠
一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法,在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻,在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻,从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法...
张威周浩楠戴啸宁沈唯真苏卫国李宋陈广忠
文献传递
基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法
本发明公开了一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法。本发明采用先在辅助圆片上涂覆BCB胶,然后将带有三维结构的圆片与辅助片放在一起,进行BCB胶转印,之后去掉转印完的辅助片,并对结构片上的BCB胶进行处理...
张威李雷夏文苏卫国李宋
文献传递
一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法
本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘,然后旋涂一定厚度的光刻胶,之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔,最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器...
张威苏卫国邓康发李宋周浩楠江少波郑焕
文献传递
一种万向导通微冲击开关及其制备方法
本发明公开了一种万向导通微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括:可动电极,水平固定电极和竖直固定电极;可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、触点弹簧和触点;水平固定电极包括悬臂梁,锚点和衬底,竖直固定电极上镀有金...
张威苏卫国李宋
一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器及其制备方法。本发明的多轴力传感器包括:衬底、悬臂梁和压阻条;其中,悬臂梁的一端通过锚点固定在衬底,另一端悬空;压阻条设置在悬臂梁的垂直面和平行面上,为一体的压阻条。本发明由于采...
张威周浩楠戴啸宁沈唯真苏卫国李宋陈广忠
一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法
本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘,然后旋涂一定厚度的光刻胶,之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔,最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器...
张威苏卫国邓康发李宋周浩楠江少波郑焕
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共2页<12>
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