李延辉
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- 铌酸锂薄膜制备的研究现状及进展被引量：1
- 2006年
- 铌酸锂是人工合成的具有优良的电学和光学性质的铁电体材料,在光电子学和集成光学等领域有许多重要的应用.本文介绍了铌酸锂的结构、性质和铌酸锂薄膜的制备研究现状及进展,并对应用前景进行了展望.
- 张澎丽刘技文赵捷刘莹李延辉李昌龄
- 关键词：铌酸锂
- SiC纳米线的场发射性质
- 本文系统地研究了SiC纳米线的制备和场发射性能,探讨了SiC纳米线的场发射机制,简单对比了SiC纳米线与碳纳米管的场发射性能。
我们采用碳纳米管模板法成功合成了SiC纳米线,其关键步骤包括:用等离...
- 李延辉
- 关键词：SIC纳米线碳纳米管场发射
- 文献传递
- SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究被引量：13
- 2005年
- 用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了 SiC纳米晶(nc SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc SiC薄膜具有立方结构;样品经 800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1 000 ℃退火后样品的发光峰在478 nm,800 ℃退火后发光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的样品发光强度高4倍。
- 刘技文李娟赵燕平李延辉李昌龄许京军
- 关键词：SIC射频磁控溅射退火纳米晶薄膜光致发光PL
- SiC纳米线的制备研究现状与展望
- 2005年
- 综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法，并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作，对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望。
- 李昌龄刘技文赵燕平李延辉李娟
- 关键词：SIC纳米线
- 基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径被引量：2
- 2005年
- 掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用.最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展.
- 李延辉刘技文赵燕平李昌龄李娟
- 关键词：发光效率硅基材料发光机理硅基发光材料掺铒硅实用化
- 一维纳米SiC材料制备及场致电子发射性质研究
- 刘技文安玉凯马永昌李娟李延辉李昌龄
- 采用磁控溅射法在碳纳米管表面沉积Si原子后退火的模板技术成功制备了SiC纳米线，发展了一种碳纳米管模板法制备SiC纳米线的方法。初步实现了通过控制催化剂厚度、预处理时间、温度等参数对碳纳米管的可控生长，由此达到对SiC纳...
- 关键词：
