您的位置: 专家智库 > >

李洪霞

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:教育部更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 4篇发光特性
  • 3篇氧化锌
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇铝掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇淬灭
  • 1篇微结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇

机构

  • 4篇安徽大学
  • 3篇教育部

作者

  • 4篇石市委
  • 4篇李洪霞
  • 3篇孙兆奇
  • 1篇江锡顺
  • 1篇宋学平
  • 1篇朱煜东
  • 1篇徐汉淑

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇“方园杯”安...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
掺铝氧化锌薄膜的低温发光特性
使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌薄膜,采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征。结果表明:薄膜由直径在200nm以下的氧化锌纳米锥构成,且具有明显的沿c轴择优生长的特征...
石市委李洪霞宋学平孙兆奇
关键词:氧化锌铝掺杂光致发光
掺钼氧化锌薄膜的发光特性被引量:3
2013年
使用磁控溅射法在石英基底上制备钼掺杂氧化锌薄膜。扫描电镜结果表明薄膜由晶粒大小为40~80 nm范围内的颗粒组成,薄膜具有六方纤锌矿型结构且沿c轴择优取向生长。在可见光范围(400~760 nm)内所有薄膜的平均光透射率超过90%。退火薄膜的光致发光(PL)光谱表明,退火处理对发光峰的位置有很大影响,随着退火温度的增加,发光峰位置从380 nm红移至400 nm或从470 nm红移至525 nm。此外,钼掺杂对退火薄膜PL光谱的强度影响很大。我们认为,薄膜中缺陷浓度的变化是导致发光峰红移的主要原因,讨论了PL谱中不同的可见光的发光机制。
石市委徐汉淑李洪霞朱煜东孙兆奇
关键词:氧化锌微结构光致发光
掺铝氧化锌薄膜的低温发光特性
使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征.结果表明,薄膜由直径在200nm以下的氧化锌纳米锥构成,且具有明显的沿c轴择优...
石市委李洪霞宋学平孙兆奇
关键词:半导体材料光致发光
文献传递
铝掺杂及温度对氧化锌薄膜发光特性的影响被引量:5
2013年
使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征。结果表明,薄膜由氧化锌纳米锥构成,纳米锥直径大部分都在100 nm以下,且具有明显的沿c轴择优生长的特征。此种方法制备的AZO薄膜在室温下存在两个较宽的发光峰,即紫外-紫光发光峰和绿光-红光发光峰。铝掺杂强烈地影响两个发光峰的相对强度。随着掺杂量的增大,(1)紫外-紫光发光峰的相对强度和绝对强度都迅速增大,并在铝掺杂量达到10%时达到最大值,(2)绿光-红光发光峰中,各子发光峰的相对强度也发生一定变化,主要表现为长波子发光峰的发光强度的相对增大。铝掺杂还导致薄膜的发光谱中出现一个极少见的位于355 nm处的发光峰,该发光峰随铝掺杂量的增大而增强。薄膜的低温光致发光谱表明,随着薄膜温度由10 K升高到267 K,薄膜的紫外-紫光发光峰变化不明显,但绿光-红光发光峰的强度则随着温度的增加而快速单调减小,呈现荧光热猝灭现象。由发光中心的多声子发射造成的非辐射激子复合应该是造成这种热猝灭的主要原因。
石市委李洪霞江锡顺孙兆奇
关键词:氧化锌铝掺杂光致发光
共1页<1>
聚类工具0