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李竹
作品数:
5
被引量:9
H指数:2
供职机构:
东南大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王志功
东南大学能源与环境学院射频与光...
陈志恒
东南大学能源与环境学院射频与光...
杨格亮
东南大学能源与环境学院射频与光...
李智群
东南大学能源与环境学院射频与光...
李芹
东南大学能源与环境学院射频与光...
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2017
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2004
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0.18umCMOS工艺5GHz WLAN低噪声放大器和下变频器
本课题是射频集成电路设计,主要是负责基于0.18umCMOS工艺实现用于IEEE802.11a的5GHzWLAN无线局域网接收机前端电路包括低噪声放大器(LNA)和下变频器电路(DownConverter)设计。 首先,...
李竹
关键词:
无线局域网
射频接收机
低噪声放大器
噪声系数
文献传递
1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器
被引量:4
2004年
无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单版集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2GHz低嗓声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益15.8dB噪声系数为1.4dB。
李竹
陈志恒
王志功
关键词:
CMOS工艺
低噪声放大器
1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器
2004年
本文给出了利用0.18um CMOS工艺设计的5.2GHz低噪声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益为15.8dB噪声系数为1.
李竹
陈志恒
王志功
关键词:
差分结构
CMOS
低噪声放大器
噪声系数
阻抗匹配
CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器(英文)
被引量:4
2014年
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5~39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27~42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27 ~ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm。
杨格亮
王志功
李智群
李芹
刘法恩
李竹
关键词:
毫米波
宽带
基于CMOS工艺的微波毫米波宽带压控振荡器研究与芯片设计
PLL(Phase Locked Loop)即锁相环频率综合器电路直接影响着无线收发信机性能的好坏,是实现无线收发信机全集成的关键瓶颈。在锁相环频率综合器PLL中,VCO(Voltage Control Oscillat...
李竹
关键词:
毫米波
频率合成器
VCO
耦合电感
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