林春
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3
- 2012年
- 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.
- 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力
- 关键词：长波红外探测器GASB焦平面阵列
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱被引量：2
- 2000年
- 用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。
- 郑燕兰李爱珍林春李存才胡建
- 关键词：激光器光致发光谱
- 优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
- 郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
- 关键词：MBE生长
- 带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
- 本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
- 李爱珍李存才胡建徐刚毅张永刚林春郑燕兰李华李耀耀魏林朱诚
- 关键词：分子束外延量子级联激光器量子阱激光器
- 文献传递
- GaInAsSb共振腔增强光电探测器设计
- 林春李爱珍
- 关键词：光电探测器
- 应变效应对Ga-In-Sb三元系合金不互溶隙的影响
- 林春李爱珍
- 文献传递
- 室温准连续2μm脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器
- 本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器.
- 林春李爱珍郑燕兰张永刚
- 关键词：激光器材料分子束外延生长多量子阱激光器
- 文献传递
- 室温1.8-2.4μm波段InGaAsSb PIN探测器
- 本文采用固态源分子束外延的方法,在n型掺TeGaSb衬底上生长了InGaAsSb/GaSb和AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb PIN型探测器结构.给出了探测器的能带结构及I-V特性.
- 林春郑燕兰李爱珍
- 关键词：PIN探测器
- 文献传递
- 面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究进展被引量：3
- 2014年
- 报道了针对第三代碲镉汞红外焦平面的应用需求进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表面形貌和组份均匀性的改善方法和研究结果.512×512及以上规模的中波、短波碲镉汞面阵器件制备验证表明Si基碲镉汞材料满足应用需求.围绕甚长波红外焦平面探测器及雪崩红外焦平面探测器的研制需要,开展了低缺陷的ZnCdTe基碲镉汞分子束外延研究.外延获得的HgCdTe外延材料均匀性得到明显提高.经过外延条件的优化,厚度为10μm的HgCdTe/ZnCdTe(组分x=0.22)分子束外延材料位错密度最好结果为3×104 cm-2,双晶半峰宽小于25弧秒.
- 陈路傅祥良王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军陈建新何力
- 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
