柏劲松
- 作品数：5 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器被引量：5
- 1998年
- 报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。
- 陈高庭柏劲松张云妹耿建新方祖捷李爱珍郑燕兰林春
- 关键词：中红外波段激光器量子阱材料MBE生长
- GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器(英文)
- 2001年
- 报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%
- 柏劲松方祖捷张云妹陈高庭李爱珍陈建新
- 关键词：GSMBE生长中红外波段应变量子阱激光器INGAAS/INGAASP
- 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器被引量：5
- 2000年
- 报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。
- 柏劲松陈高庭张云妹方祖捷李爱珍郑燕兰林春
- 关键词：量子阱激光器
- GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器被引量：3
- 2001年
- 报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm。
- 柏劲松方祖捷张云妹张位在陈高庭李爱珍陈建新
- 关键词：GSMBE生长中红外波段应变量子阱激光器INGAAS/INGAASP
- 2μm波段应变量子阱激光器及外腔技术研究
- 柏劲松
- 关键词：激光器半导体激光器量子阱激光器中红外波段
