樊正海
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南开大学更多>>
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- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备被引量：1
- 2011年
- 为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。
- 张鹤郑新霞张晓丹刘伯飞林泉樊正海魏长春孙建耿新华赵颖
- 电流失配对多结硅薄膜太阳电池性能的影响
- 本文为硅基薄膜电池提出一种基于实验结果的电路级多结电池模型，试图考察子电池特性在不同光生电流匹配情况下对多结特性的影响。我们发现，多结电池短路电流(Jsc)并非严格受限于最小光生电流;使子电池填充因子(FF)最大者做电流...
- 张鹤刘伯飞张晓丹郑新霞樊正海魏长春孙建赵颖耿新华
- 关键词：电池特性
- 文献传递
- 超声喷雾热分解法制备硅薄膜太阳电池用ZnO:In透明导电膜被引量：1
- 2011年
- 采用超声喷雾热分解法,在Eagle 2000衬底上制备ZnO薄膜。通过Hall测试、X射线衍射、扫描电子显微镜和透过率测试研究不同In掺量对ZnO薄膜电学、结构、表面形貌和光学特性的影响。结果表明:当In摩尔掺量(In与ZnO的摩尔比)为1.5%时,获得的薄膜具有较低的电阻率(2.48×10-3 cm);所有In掺杂ZnO薄膜的透过率均达到80%;将ZnO:In薄膜作为前电极应用于μc-Si:H薄膜太阳电池,可以获得5.01%的转换效率。
- 焦宝臣张晓丹樊正海魏长春孙建赵颖
- 关键词：氧化锌薄膜透明导电薄膜太阳电池
- MOCVD-ZnO中间层在非晶硅/微晶硅叠层电池中的应用
- 非晶硅/微晶硅叠层电池已经成为硅薄膜太阳电池产业化关注的热点，但由于非晶硅电池存在光致衰退效应，提高非晶硅/微晶硅叠层电池的稳定性就显得尤为重要，而位于非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的中间层对提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电...
- 樊正海张晓丹张鹤林泉陈新亮魏长春孙建赵颖耿新华
- 关键词：中间层沉积温度电池结构
- 文献传递
