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文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇体声波
  • 5篇体声波谐振器
  • 5篇谐振器
  • 5篇薄膜体声波谐...
  • 3篇压电薄膜
  • 2篇底电极
  • 2篇电极
  • 2篇电耦合
  • 2篇太阳能
  • 2篇体声波滤波器
  • 2篇天线
  • 2篇滤波器
  • 2篇膜材料
  • 2篇缓冲层
  • 2篇键合
  • 2篇键合工艺
  • 2篇复合薄膜材料
  • 2篇ALN薄膜
  • 2篇磁致伸缩
  • 2篇磁致伸缩薄膜

机构

  • 10篇中国电子科技...

作者

  • 10篇欧黎
  • 7篇马晋毅
  • 4篇蒋欣
  • 3篇杨增涛
  • 3篇傅金桥
  • 3篇冷俊林
  • 3篇江洪敏
  • 3篇张龙
  • 3篇张涛
  • 3篇杨正兵
  • 2篇曹亮
  • 2篇陈运祥
  • 2篇汤劲松
  • 2篇何晓亮
  • 2篇张永川
  • 2篇毛世平
  • 2篇周勇
  • 2篇徐阳
  • 2篇叶锋
  • 2篇陈小兵

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法,该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜,底电极采用WSi材料制成,压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
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声表面波信道化组件
声表面波信道化组件,包括底板、座体和上盖,其改进在于信道单元独立封装,信道单元底部设连接螺钉穿过座体用螺母固定于座体上;各信道单元的输入端子、输出端子穿过座体伸于下层多个独立隔离的空间内;信道化组件输入端口通过依次串联的...
黄广伦欧黎
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微纳薄膜磁声天线
本发明公开了一种微纳薄膜磁声天线,包括底座,在底座上表面中部开设有空腔,在空腔底部和侧壁上以及底座上表面设有连为一体的绝缘层,在底座上表面绝缘层上设有支撑层,支撑层中部悬置于空腔之上;在支撑层上设有由磁致伸缩薄膜与薄膜体...
彭霄欧黎马晋毅何晓亮龙飞毛世平蒋欣
预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法
本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法,涉及微电子器件领域,滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,SOI基片的衬底硅上表面设...
杨增涛马晋毅欧黎冷俊林杨正兵赵建华陈运祥周勇陈小兵傅金桥张龙张涛曹亮
一种基于太阳能热利用的集中式吸热装置
本发明公开了一种基于太阳能热利用的集中式吸热装置,包括真空腔、吸热装置及支撑结构,其中,所述真空腔上壁包括透光层,真空腔侧壁及下壁包括绝热层,吸热装置通过支撑装置安装在真空腔内,所述吸热装置包括多个横向并排设置的吸热板单...
汤劲松桂进乐叶锋余怀强邓立科欧黎胡爱民
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一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法,该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜,底电极采用WSi材料制成,压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
一种基于空地联合的太阳能光热发电系统
本申请公开了一种基于空地联合的太阳能光热发电系统,包括驻空聚光装置、地面光热耦合装置及发电装置,驻空聚光装置包括驻空部件及聚光部件,驻空部件用于使驻空聚光装置停留在空中,聚光部件用于将阳光聚拢为聚光光束并将聚光光束射向地...
汤劲松桂进乐叶锋毛繁成斌欧黎胡爱民
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微纳薄膜磁声天线
本发明公开了一种微纳薄膜磁声天线,包括底座,在底座上表面中部开设有空腔,在空腔底部和侧壁上以及底座上表面设有连为一体的绝缘层,在底座上表面绝缘层上设有支撑层,支撑层中部悬置于空腔之上;在支撑层上设有由磁致伸缩薄膜与薄膜体...
彭霄欧黎马晋毅何晓亮龙飞毛世平蒋欣
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预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法
本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法,涉及微电子器件领域,滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,SOI基片的衬底硅上表面设...
杨增涛马晋毅欧黎冷俊林杨正兵赵建华陈运祥周勇陈小兵傅金桥张龙张涛曹亮
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一种空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)的制作方法
本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器,包括一种带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器构成。其特征为:所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽,键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构;顶层硅上部设置换能器,换能器...
杨增涛马晋毅江洪敏杨正兵冷俊林欧黎傅金桥赵治国张涛张龙刘积学
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共1页<1>
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