氧化矾作为非制冷微测辐射热计的热敏材料,电阻率ρ和电阻温度系数TCR(Temperature Co-efficient of Resistance)是表征其性能的重要参数。通过对用离子束溅射得到的氧化矾薄膜在相同时间不同温度下的N2+H2退火实验,我们发现氧化矾薄膜的电阻率ρ和电阻温度系数TCR之间存在着密切的正相关关系,AES结果表明它们的变化对应着氧化矾热敏材料的O/V比例(或氧空位浓度)的变化。这三个参量随着退火温度的改变而变化,在350～500 ℃的退火温度范围内,我们发现电阻率ρ,电阻温度系数TCR以及O/V比例随着温度的变化均出现一个峰值。通过对氧化矾的电阻温度特性的分析,我们讨论了氧化矾薄膜的导电机制。我们认为,用本方法制备的氧化矾薄膜在室温下导电的载流子主要来自于相对较深能级杂质的电离。
采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni的参与可以显著降低非晶 Si Ge薄膜的结晶时间以及结晶温度 ;退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶有明显阻碍作用 ;采用先在高纯 N2 (99.99% )气氛下快速热退火 (RTA)预处理 ,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶 Si
