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江慧华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇直拉硅
  • 2篇外延片
  • 2篇硅外延
  • 2篇硅外延片
  • 2篇掺硼
  • 2篇P
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇失配位错
  • 1篇外延层
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格畸变
  • 1篇硅外延层
  • 1篇锗
  • 1篇掺锗
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇江慧华
  • 2篇李立本
  • 2篇杨德仁
  • 2篇田达晰
  • 2篇阙端麟
  • 2篇马向阳

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响
2005年
通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．
江慧华杨德仁田达晰马向阳李立本阙端麟
关键词：锗氧沉淀
利用掺锗的重掺硼硅衬底生长无失配位错的p/p～+硅外延片
p/p+硅外延片是一类重要的硅材料,目前,p/p+硅外延片主要在以CMOS工艺为代表的超大规模集成电路和大功率器件中应用。由于轻掺硼硅外延层与重掺硼硅单晶衬底存在显著的晶格失配,厚膜p/p+硅外延片通常含有大量的失配位错...
江慧华
关键词：失配位错
文献传递
以Ge－B共掺直拉硅片作为衬底的P/P<Sup>+</Sup>硅外延片
本发明的以Ge－B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P<Sup>+</Sup>硅外延片，其衬底中硼的浓度为3×10<Sup>18</Sup>～1×10<Sup>20</Sup>/cm<Sup>3</Sup>，Ge的浓度为1×1...
杨德仁马向阳田达晰江慧华李立本阙端麟
文献传递
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