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沈学础

作品数:183 被引量:259H指数:10
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
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作者

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  • 12篇1999
  • 20篇1998
  • 16篇1997
183 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CdSe/ZnSe异质结构中Zn_(1-x)Cd_xSe量子岛(点)的显微荧光光谱和显微拉曼光谱研究被引量:4
2006年
利用显微荧光和显微拉曼光谱,研究了分子束外延生长的CdSe/ZnSe异质结构中,由两种不同机理形成的两类具有不同尺寸和组分的Zn1-xCdxSe量子岛.4·2K时的显微荧光光谱表明,当CdSe淀积厚度由1·8ML增加到2·3ML时,Zn1-xCdxSe量子岛的激子荧光峰有166meV的较大红移,这是量子岛尺寸改变引起的量子限制势能变化所不能完全解释的.经过对样品的显微荧光和显微拉曼光谱的对比分析,发现还存在另外两种引起量子岛荧光峰较大红移的机理:一方面是因为随着CdSe淀积厚度的增加,具有更低能态的大岛密度的增加,并逐渐取代小岛而主导Zn1-xCdxSe量子岛的荧光性质;另一方面是由于CdSe/ZnSe量子结构中的两类量子岛的Cd组分浓度也会随CdSe淀积厚度的增加而增加,从而引起量子岛荧光峰的较大红移.
王防震陈张海柏利慧黄少华沈学础
关键词:CDSERAMAN
HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究被引量:14
2004年
在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0
陈贵宾陆卫蔡炜颖李志锋陈效双胡晓宁何力沈学础
关键词:碲镉汞薄膜红外探测器离子注入分子束外延P-N结
高纯GaAs的非线性伏安特性
1995年
报道了4.2K下N型高纯MBEGaAs的非线性伏安(I-V)特性.在第一个S形负阻区的高场侧,发现了另外三个S形负阻区.建立了新的产生-复合模型,给出了多个负阻现象的微观物理机制.进一步的实验结果表明,非线性I-V特性的滞后现象与外电场变化的历史有关.
陈忠辉刘普霖史国良陆卫沈学础
关键词:砷化镓非线性I-V特性
p-PbTe的strip-line透射光谱研究
1993年
报道p-PbTe在深低温、强磁场下,不同远红外波长和晶体取向条件下的strip-line透射光谱。观察到一种新的对透射光谱的模式耦合影响。基于对这一复杂的模式耦合问题数学处理的解决,从实验光谱的拟合计算中得到p-PbTe的能带参量,进一步应用6能带的k·p模型解释了能带参量的光谱特性。
陆卫刘普霖沈学础M.VON ORTENBERGW.DOBROWOLSKI
关键词:碲化铅透射光谱价带
半导体红外磁光光谱研究
1996年
半导体红外磁光光谱研究刘普霖,史国良,陈张海,石晓红,胡灿时,陆卫,沈学础(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083)红外光谱与强磁技术的结合是研究半导体及其它功能材料光电性质的重要实验方法。我们知道,通过对电磁辐射在介质中...
刘普霖史国良陈张海石晓红胡灿时陆卫沈学础
关键词:半导体
半导体光学微腔激子极化激元的量子调控研究
陈张海孙聊新董红星谢微沈学础
在半导体体系的晶体场中存在着丰富多样的元激发,各种元激发之间的相互作用、相互耦合进一步产生了新的复合准粒子,尤其是在半导体微腔体系中,深入理解光子-激子耦合形成的激子极化激元极大加深了对小量子结构中光-物质相互作用基本性...
关键词:
退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响
1989年
研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。
唐文国王富朝李自元沈学础
关键词:非晶半导体红外吸收光致发光
离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质被引量:1
2005年
低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.
黄少华陈张海柏利慧王防震沈学础
关键词:离子注入线性偏振
硅桥红外辐射单元温度的显微拉曼测定
2002年
本文采用显微拉曼光谱实验的方法对红外目标模拟器中的重掺杂Si电阻微桥单元进行了绝对温度的测量 ,并根据斯托克斯与反斯托克斯强度与温度关系以及Raman峰位移动与温度依赖关系两种方法确定温度 ,保证了所测温度的可靠性。针对Si桥建立相应的Raman模型 ,选择合适的物理参数 ,最终得到了反映Si桥工作特性的电流 -温度关系。此外 ,通过对Si桥的空间分辨的测量实验 ,得到了Si桥上的温度分布状况 ,对了解其电阻、热导及氧化等特性十分有用。所有结果表明该方法是器件优化的有效途径。
蔡炜颖陆卫李志锋李守荣梁平治沈学础
关键词:RAMAN光谱
赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
1998年
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In080Ga020As/In053Ga047As/In052Al048AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应。
陈张海胡灿明陈建新陈建新史国良沈学础刘普霖
关键词:铟镓砷
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