王成新
- 作品数：22 被引量：10H指数：2
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 立方氮化硼多晶表面上金刚石膜的生长
- 超高压高温技术，以20～40μm的立方氮化硼微粉为原料合成了立方氮化硼多晶体。在抛光后的多晶表面用热灯丝化学汽相沉积方法生长了连续性较好的金刚石膜，并测试了复合界面的导电性。
- 张铁臣王成新高春晓刘建亭邹广田
- 关键词：立方氮化硼金刚石膜导电性
- 透明的n－型氧化锌／p－型金刚石薄膜异质结及其制备方法
- 本发明的透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p-n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p-型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p-型金刚石单晶薄膜的化学处理(12...
- 王成新高春晓刘洪武韩永昊骆继峰申彩霞邹广田
- 文献传递
- 不同重力取向对金刚石薄膜生长的影响
- 本文采用热丝CVD方法在不同方向的Si衬底上生长金刚石薄膜。研究了金刚石薄膜的生长特性以及不同重力取向对金刚石薄膜成核密度、生长速度和晶体品质的影响。通过激光喇曼光谱、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）等测试得出...
- 杨洁申彩霞刘旺盛王成新刘洪武
- 关键词：金刚石薄膜
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- 氧化镓的同步辐射研究被引量：3
- 2002年
- 利用金刚石对顶砧(DAC)高压装置产生高压,使用体积比为16∶3∶1的甲醇、乙醇和水混合液作为传压介质,通过原位高压同步辐射技术对氧化镓的高压行为进行了研究(0～42.5GPa)。实验发现在室温下13.3GPa压力附近,单斜结构的氧化镓发生了结构相变,变成三角结构。相变后镓离子由原来同时位于由氧离子围成的四面体和八面体的中心位置变成只位于八面体的中心位置。卸压后的X射线衍射谱表明,氧化镓又恢复为单斜结构,该相变为可逆相变。
- 崔启良涂宝招潘跃武王成新高春晓张剑刘景邹广田
- 关键词：氧化镓高压相变DAC金刚石对顶砧结构相变X射线衍射谱
- 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
- 本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及c-BN/金刚石薄膜异质P-N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过B掺杂在N型片状c-BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P-N型。N...
- 张铁臣高春晓王成新季艳菊邹广田
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- 纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜被引量：5
- 2000年
- 通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,实现金刚石薄膜的高选择比生长。该方法具有工艺简单、沉积效率高、选择比高、对底无任何损伤等优点。同时 ,这种方法很容易在不同衬底上实现金刚石薄膜的大面积选择性生长。
- 刘洪武高春晓李迅王成新韩永昊邹广田王文魁文超
- 关键词：金刚石薄膜
- 纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺
- 本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>或Mo，其表面蒸镀SiO<Sub>2<...
- 刘洪武高春晓李迅王成新邹广田
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- N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备
- 2000年
- 文内报告了尺寸为 0 .3× 0 .3mm2 的立方氮化硼单晶的N 型掺杂 ,然后用特殊的测量装置测量了N 型立方氮化硼的欧姆接触之后的伏 -安特性。
- 王成新高春晓张铁臣刘洪武李迅邹广田
- 关键词：立方氮化硼欧姆接触异质结半导体
- 宽禁带半导体异质结的制备
- 该论文工作主要利用宽禁带半导体材料p-型金刚石、n-型立方氮化硼及n-型氧化锌制备出p-型金刚石薄膜单晶/n-型立方氮化硼单晶的异质结和透明的p-型金刚石单晶/n-型氧化锌薄膜的异质结.该工作首次采用了一种新颖的固态掺杂...
- 王成新
- 关键词：宽禁带半导体材料半导体材料异质结氧化锌薄膜
- 文献传递
- 在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法
- 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～25...
- 韩永昊高春晓刘洪武潘跃武王成新骆继峰申彩霞邹广田
- 文献传递
