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王春瑞

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：东华大学更多>>
相关领域：电气工程理学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 11篇纳米
  • 9篇SUB
  • 6篇硫脲
  • 5篇纳米棒
  • 4篇一步法
  • 4篇三氧化二铝
  • 4篇纳米线
  • 4篇管式
  • 4篇管式炉
  • 4篇光电
  • 4篇P型
  • 4篇ZNSE
  • 3篇电池
  • 3篇真空干燥箱
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇玻璃衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇带隙
  • 2篇单晶
  • 2篇导电

机构

  • 22篇东华大学

作者

  • 22篇王春瑞
  • 8篇徐靖
  • 6篇陈效双
  • 5篇刘建
  • 4篇谢庆庆
  • 4篇张瑶
  • 4篇刘旭
  • 4篇孙林
  • 2篇曹云
  • 2篇王洪云
  • 2篇邹儒佳
  • 2篇蓝奔月
  • 2篇蔡俊晟
  • 2篇詹亚歌
  • 2篇叶茂林
  • 2篇方薇
  • 2篇李大勇
  • 2篇程晨
  • 2篇王栋
  • 2篇莫志伟

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高印刷法制备的碳纳米管阴极场致电子发射性能的方法
本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方...
邹儒佳薛绍林李大勇王春瑞詹亚歌
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一种水热法制备α-Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>纳米棒的方法
本发明涉及一种水热法制备α－Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>纳米棒的方法，包括：(1)称取0.004mol的SbCl<Sub>3</Sub>和0.015mol－0.2mol的I<Sub>2</Sub...
王春瑞任广平夏金安刘建
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一种大面积PbI<Sub>2</Sub>薄片的合成及其柔性光电探测器的构建
本发明提供了一种大面积PbI<Sub>2</Sub>薄片的合成及其柔性光电探测器的构建。所述的大面积PbI<Sub>2</Sub>薄片的合成方法，其特征在于，包括将氯化铅、碘和硫脲加入到反应釜中，反应釜内装入水至总体积的...
王春瑞孙林胥留陈效双
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一种p型CdS纳米线的制备方法
本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的:三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200...
王春瑞蔡俊晟徐靖王洪云叶茂林
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一种p型Cu&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;ZnSnS&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;纳米棒的制备方法
本发明提供了一种p型CZTS纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：第一步：将Cu(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·H<Sub>2</Sub>O、ZnCl<Sub>2</Sub>、SnCl<Su...
王春瑞章莎莎孙林徐靖王栋
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一种ZnO/CdS/Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub> pn 结纳米棒阵列的制备方法
本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub> pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·2H...
王春瑞刘旭徐靖张瑶陈效双赵旭熠莫志伟
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一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线
本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真...
王春瑞谢庆庆刘建
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一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>太阳能电池材料的制备方法
本发明涉及一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>太阳能电池材料的制备方法，包括：(1)将摩尔比为2∶1∶1的CuCl、ZnCl<Sub>2</Sub>、SnCl<Sub>4</Sub>·5H<...
王春瑞程晨曹云方薇蓝奔月
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一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法
本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100～...
王春瑞刘建谢庆庆
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一种p型CdS纳米线的制备方法
本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～...
王春瑞蔡俊晟徐靖王洪云叶茂林
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