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刘淑平

作品数:15 被引量:14H指数:2
供职机构:太原重型机械学院更多>>
发文基金:山西省青年科技研究基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇波导
  • 8篇光波
  • 6篇折射率
  • 5篇有效折射率
  • 5篇SOI
  • 4篇脊形
  • 4篇脊形光波导
  • 3篇GESI
  • 2篇永磁
  • 2篇永磁材料
  • 2篇剩磁
  • 2篇数值解
  • 2篇损耗
  • 2篇探测器
  • 2篇平面光波导
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米复合永磁
  • 2篇纳米复合永磁...
  • 2篇光场
  • 2篇光场分布

机构

  • 13篇太原重型机械...
  • 2篇太原科技大学
  • 2篇西安交通大学

作者

  • 15篇刘淑平
  • 5篇贾跃虎
  • 3篇李国正
  • 2篇刘恩科
  • 1篇闫进

传媒

  • 4篇太原重型机械...
  • 3篇半导体杂志
  • 2篇应用光学
  • 2篇半导体光电
  • 1篇稀土
  • 1篇华北工学院学...
  • 1篇测试技术学报
  • 1篇飞通光电子技...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 6篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
平面波导有效折射率数值解及光场分析被引量:2
1999年
提出了一种计算有效折射率(nef)的数值迭代算法,并通过计算得出平面光波导的光场分布,并由此确定平面光波导的厚度。
刘淑平李国正刘恩科
关键词:有效折射率光场分布
Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的分析及设计被引量:1
1999年
在Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的等效模型的基础上,利用数字迭代法求解出了平板光波导波导层的有效折射率N_1,N_2及脊形光波导等效模型的有效折射率N_3。从求出的有效折射率来确脊形光波导传输单模光波时要求的内外脊高b和h及脊宽w。综合考虑得出b=5000nm,h=3500nm,w=7000nm。从而为脊形光波导的设计提供了有价值的理论依据。
刘淑平贾跃虎
关键词:GESI折射率脊形波导
GeSi/Si应变超晶格探测器的制作
1996年
介绍GeSi/Si应变新材料探测器的制作方法,它不仅与Si微电子工艺相兼容,而且还可调节Ge含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。
刘淑平闫进扬型建李国正
关键词:红外探测器光电器件超晶格
添加和替代微量元素改善NdFeB的磁性能
2002年
讨论了添加和替代微量元素对纳米复合永磁体微结构的影响,并制备了四种不同成份的纳米复合永磁体。对它们的剩磁及矫顽力进行了测试,测试结果表明添加和替代其它微量稀土元素,可以增强纳米复合永磁体中晶粒之间的相互作用,从而使得剩磁、矫顽力及磁能积在不同程度上均有提高,充分说明添加和替代微量元素是改善NdFeB磁性材料磁性的一种有效途径。
刘淑平
关键词:微量元素NDFEB纳米复合永磁材料磁性能剩磁
SOI平面光波导有效折射率的计算及其波导层厚度的设计被引量:1
1997年
从麦克斯韦理论出发精确计算得出SOI平面光波中的有效折射率及光场分布,并由此确定了传输单模光波导的波导层厚度。
刘淑平贾跃虎
关键词:SOI有效折射率
SOI脊形光波导的设计与研制
2001年
利用有效折射率的数值解法 ,计算出了SOI脊形光波导的有效折射率。由此得到SOI脊形光波导传输单模光波时内外脊高b ,h及脊宽W的尺寸。在此基础上研制了SOI光波导 ,测得其传导损耗为 0 .
刘淑平
关键词:SOI有效折射率脊形光波导集成光学
GeSi合金的等离子色散效应
1998年
对GeSi合金的等离子色散效应进行了理论分析与计算。
刘淑平贾跃虎
关键词:硅化锗硅材料
SOI光波导传输机理及其损耗的研究
1999年
分析研究了SOI光波导传输机理,并对其传输损耗进行了计算,加快SOI光波导的实用化。
刘淑平赵诚意
关键词:SOI损耗
P-GeSi/P-Si探测器的研制
1999年
采用MBE法在Si衬底上生长GeSi异质结,制成GeSi/Si异质结探测器。测得其反向击穿电压为15V左右,光响应为0.
刘淑平贾跃虎
关键词:GESI探测器异质结
晶化处理对Nd_9Fe_(85)B_6磁性能的影响被引量:5
2003年
 为了研究晶化处理对Nd9Fe85B6纳米双相永磁材料磁性能的影响.利用三种不同晶化处理工艺对Nd9Fe85B6磁性材料进行晶化处理,并对其磁性能进行了测试.测试结果表明晶化处理工艺的温度、时间不同将影响Nd9Fe85B6纳米双相永磁材料的磁性能,初步探索的晶化工艺为晶化温度在780℃左右,时间在6min左右时所得的磁性能较好.
刘淑平
关键词:磁性能剩磁矫顽力
共2页<12>
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