王俊
- 作品数：96 被引量：183H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文)被引量：2
- 2006年
- 采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长。由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV。
- 沈文娟王俊王启元段垚曾一平
- 关键词：金属有机化学气相沉积光致发光ZNO
- 半导体致冷恒温浴槽被引量：4
- 1999年
- 本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－ ３０°～５０℃之间，其精度小于 ００５℃．
- 昝育德李瑞云王俊林兰英
- 关键词：半导体保温材料
- 氮化镓紫外探测器研究
- 由于GaN禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在紫外探测器有重要的作用.GaN紫外探测器在飞行器制导、火灾监测、航天等领域有重要的应用价值,在国际上引起广泛的研究兴趣.该文针对各种GaN紫外探测器开展了研究,主要内容归纳...
- 王俊
- 关键词：紫外探测器MSM肖特基P-I-N欧姆接触
- 减薄抛光用的精密磨抛头机械装置
- 一种减薄抛光用的精密磨抛头机械装置，其特征在于，包括：一外套，该外套包括：一上层环体；一下层环体，该上层环体和下层环体之间由多个连接杆固定连接；一中层，该中层为圆形片体，该中层位于上层环体的下方、固定在多个连接杆的内侧，...
- 刘素平马骁宇王俊李伟
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- Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
- 该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧...
- 王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
- 关键词：氧沉淀
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- 等离子去胶台可调式载片体
- 本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构，其长度可以...
- 王俊白一鸣
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- 一种恒温装置
- 一种恒温装置,包括恒温槽、恒温液体介质、温度传感器、半导体致冷器、温度控制仪、功率转换器和转动机构;其中恒温槽为双层结构,在恒温槽中有一内槽,内槽中装有恒温液体介质,在两槽体之间装有固体保温介质;温度传感器置于恒温液体介...
- 昝育德李瑞云王俊林兰英
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- 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
- 本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：步骤1：选取一衬底；步骤2：在衬底(001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜；步骤3：在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
- 沈文娟曾一平王启元王俊
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- 大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构
- 一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为N－镓砷材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波...
- 王俊马骁宇林涛郑凯王勇刚
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- 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构
- 一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一...
- 熊聪王俊崇锋刘素平马骁宇
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