陈文锁
- 作品数：51 被引量：21H指数：4
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器
- 本发明公开了一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型注入结构、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器...
- 陈文锁廖瑞金
- 精确计算电子重整化链图传播下的Compton散射微分截面被引量：5
- 2008年
- 采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息.此研究结果对精确描述Compton散射现象以及对电磁相互作用所呈现的复杂内部过程的深入探讨,都将从一个重要研究侧面给出理论计算研究方面某些可供借鉴与参考之处.
- 汪先友陈文锁方祯云彭庆军王凯俊
- 关键词：COMPTON散射微分散射截面
- 强γ背景下中子针孔成像的点扩展函数被引量：1
- 2008年
- 利用基于Geant4建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值，并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响。研究结果表明：在偏移量小于1cm时，γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在0.40～0.42，0.63～0.65以及0.46～0.49之间；偏移量大于1cm时，比值下降明显，γ对中子的影响减小。在同一偏移量下，γ射线的点扩展函数的分布范围要比中子的小，两者叠加后所获得的点扩展函数的分布范围介于两者之间。在一定入射偏移范围内的成像质量优于在针孔中心位置入射时的成像质量。
- 蒋敏方祯云胡炳全马庆力陈文锁唐世彪
- 关键词：点扩展函数GEANT4
- 一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管
- 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电...
- 陈文锁简鹏王玉莹张澳航李剑廖瑞金
- 一种高效整流器及其制造方法
- 本发明公开了一种高效整流器及其制造方法，高效整流器包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区、隔离介质区和上电极层。制造方法步骤为：1)准备重掺杂第一导电类型...
- 陈文锁徐向涛张成方廖瑞金
- 文献传递
- 一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器
- 本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层(1)、重掺杂第二导电类型多晶硅层(2)、栅氧化层(3)、重掺杂第二导电类型阳极区域(4)、轻掺杂第一导电类型漂移区(5)、重掺杂第一导电类型衬底层(...
- 陈文锁张澳航
- 一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器
- 本发明公开了一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型注入结构、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器...
- 陈文锁廖瑞金
- 文献传递
- 精确计算重整化N-圈传播子的新计算方法被引量：14
- 2006年
- 采用核子N(反核子N-)与中性介子π0相互作用的Lorentz不变耦合模型,对N-N-圈图传播子在“动量重整化方案”中的“动量正规化”作了深入细致的分析与考证,发现可以采用“矩阵函数展开法”来替代通常采用的“传统减除法”,并由此对N-N-圈图传播子函数中的“发散量”与“有限量”作了十分简捷有效的分离,获得了“重整化有限量”的一个具有“明确计算含义”的表达式.进而,又对所获得的结果采用“大动量积分极限法”作了十分有效的计算处理,获得了可供作“严格解析计算”的一个“一维积分计算表达式”———这将为“精确计算”N-N-圈图传播子重整化有限量提供出简捷可行的有效计算途径与方法.
- 张忠灿蒋再富方祯云高飞蒋敏陈文锁
- 一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管
- 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的...
- 陈文锁廖瑞金蒲贤洁曾正邵伟华李辉
- 一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件
- 一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。包括衬底层、埋氧层、N<Sup>-</Sup>基区、位于N<Sup>-</Sup>基区两侧的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区。所述阳极区被...
- 张波陈文锁乔明方健李肇基
- 文献传递
