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陶志勇

作品数：4 被引量：16H指数：3
供职机构：合肥工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇NBTI效应
  • 1篇电路
  • 1篇识别方法
  • 1篇自恢复
  • 1篇可靠性
  • 1篇集成电路
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...
  • 1篇NBTI

机构

  • 4篇合肥工业大学
  • 1篇江苏省南通商...
  • 1篇江苏商贸职业...

作者

  • 4篇陶志勇
  • 3篇李扬
  • 3篇梁华国
  • 1篇易茂祥
  • 1篇李鑫
  • 1篇徐辉

传媒

  • 1篇应用科学学报
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子测量与仪...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法被引量：3
2013年
65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性(NBTI)是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框架,在确定电路中老化敏感的潜在关键路径集合的基础上,通过考虑路径相关性确定老化敏感的关键门。本方法简单易行,在65nm工艺下对ISCAS基准电路的实验结果表明:在保障电路经10年NBTI效应仍满足相同的时序要求的前提下,本方法较同类方法能更加准确得定位关键门,且关键门的数量较少,从而可减少抗老化设计的成本。
李扬梁华国陶志勇李鑫易茂祥徐辉
针对NBTI效应的超大规模集成电路老化研究
随着超大规模集成电路工艺尺寸不断地缩小,电路的性能得到很大的提高,但是同时电路的集成度和复杂度有所提高,由此引起的电路老化问题成为电路可靠性和性能的重要瓶颈,给电路的可靠性研究带来了严峻的挑战。在45nm工艺下,负偏置温...
陶志勇
关键词：超大规模集成电路可靠性
文献传递
应用输入向量约束的门替换方法缓解电路老化被引量：3
2013年
为缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应引起的电路老化,提高电路可靠性,提出一种在电路待机状态下应用输入向量约束的门替换方法.运用动态和静态的NBTI模型进行感知NBTI的静态时序分析,确定潜在关键路径,考虑路径相关性的关键门算法以确定关键门,并生成能使关键门最大限度处于恢复阶段的输入向量.对输入向量无法控制的关键门采用门替换方法进行内部控制.对ISCAS标准电路的实验结果表明,电路时序余量为5%时,该方法的平均门替换率降低到9.68%,时延改善率提高到39.65%.
李扬梁华国陶志勇
关键词：NBTI
一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法被引量：12
2013年
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法。首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换。基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11%,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题。
梁华国陶志勇李扬
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