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黎晓华

作品数：119 被引量：37H指数：4
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省高等教育教学改革项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 93篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 39篇电子电信
  • 20篇一般工业技术
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇电气工程
  • 4篇化学工程
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 27篇氮化镓
  • 19篇二极管
  • 18篇肖特基
  • 15篇纳米
  • 14篇肖特基二极管
  • 12篇势垒
  • 11篇刻蚀
  • 10篇复合材料
  • 10篇复合材
  • 9篇载流子
  • 9篇晶体管
  • 8篇电容
  • 8篇迁移率
  • 7篇电容器
  • 7篇场板
  • 6篇电池
  • 6篇载流子迁移率
  • 6篇栅极
  • 6篇静态功耗
  • 6篇功耗

机构

  • 119篇深圳大学
  • 8篇深圳市特种功...
  • 4篇西北工业大学
  • 1篇江苏科技大学
  • 1篇西安斯瑞先进...

作者

  • 119篇黎晓华
  • 71篇刘新科
  • 46篇贺威
  • 36篇曾燮榕
  • 35篇邹继兆
  • 22篇林峰
  • 16篇朱德亮
  • 15篇熊信柏
  • 10篇曾绍忠
  • 9篇谢盛辉
  • 8篇王敏
  • 7篇邓飞
  • 7篇周杰
  • 7篇钱海霞
  • 6篇吕有明
  • 6篇徐平
  • 5篇王磊
  • 5篇吴洪亮
  • 4篇陈勇
  • 4篇符冬菊

传媒

  • 6篇广东化工
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇特种铸造及有...
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇工程塑料应用
  • 1篇理化检验（物...
  • 1篇材料工程
  • 1篇广州化工
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇深圳大学学报...
  • 1篇中国冶金教育
  • 1篇中国特种设备...
  • 1篇化学教育（中...
  • 1篇第九届全国新...

年份

  • 22篇2024
  • 20篇2023
  • 23篇2022
  • 6篇2021
  • 12篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2007
共 119 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法
本发明公开一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法，包括：在氮化镓一侧区域注入He离子形成第一高阻区，生长外延层；在氮化镓的另一侧区域注入镁离子制备JFET的第一P阱区和第二P阱区，在第一高阻区的区域制备保护结构中二极管...
刘新科月文陈增发黎晓华黄双武贺威
具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺
本发明涉及二极管技术领域，具体为一种具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺。该肖特基二极管包括依次叠层结合为一体的阴极金属、衬底、n<Sup>+</Sup>‑GaN层、GaN漂移层、P型二维材料层和阳极...
刘新科王敏朱曦杨华恺贺威黎晓华
一种基于金属相二硫化钼的氮化镓PN二极管的制备方法
本发明公开了一种基于金属相二硫化钼的氮化镓PN二极管的制备方法，将GaN单晶衬底上生长Si掺杂的n‑GaN层，并在n‑GaN层上生长掺镁的p‑GaN层；在GaN单晶衬底的背面进行打磨抛光后蒸镀金属膜形成欧姆接触电极，掀金...
刘新科周杰王敏贺威方明黄双武黎晓华朱德亮
一种RESFET器件及其制备方法
本发明的目的是提供一种RESFET器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的RESFET器件静态功耗更低，延时更低，减小器件体积，提高集成度。由于纳米线的上表面、下表面和侧面均形成沟道，从而能够形成多层沟道结构，进一步提...
黄双武高麟飞林峰吴钧烨宋利军黎晓华刘新科
文献传递
一种多级孔碳材料的制备方法及超级电容器
本发明属于超级电容器技术领域，提供了一种多级孔碳材料的制备方法及超级电容器。该制备方法包括以下步骤：合成粒径为20‑200nm的ZIFs晶体材料；将ZIFs晶体材料置于微波加热炉中；在惰性氛围下，5min内将ZIFs晶体...
邹继兆吴洪亮姚跃超黄麟刘世钰曾燮榕黎晓华
文献传递
锂硫电池正极材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种锂硫电池正极材料及其制备方法和锂硫电池正极、锂硫电池。所述锂硫电池正极材料制备方法包括的步骤有：制备中空碳纳米微球前驱体；对中空碳纳米微球前驱体进行炭化和活化处理；将硫单质沉积在氮掺杂中空碳纳米微球进行炭...
邹继兆余良曾燮榕曾绍忠黎晓华姚跃超刘世钰涂文烜陈双双
文献传递
不同铸造工艺下ZA27合金蜗轮力学性能的研究
2017年
研究了砂型铸造、金属型铸造、挤压铸造等3种不同铸造工艺制造的ZA27合金蜗轮毛坯的铸造缺陷、拉伸性能及抗冲击性能。结果表明,ZA27合金的抗拉强度随温度升高而降低。ZA27合金蜗轮的拉伸性能随着铸造缺陷的增加而显著下降。ZA27合金的缺口敏感性较高。挤压铸造工艺下的蜗轮显微组织致密,晶粒形貌为细小等轴晶;关键部位无缩孔、疏松和夹杂等铸造缺陷存在;室温抗拉强度为412MPa,室温断后伸长率为6.5%,冲击功为53.5J。
张杰黎晓华吴继权
关键词：ZA27
一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法
本发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片，包括：重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层，重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极；...
刘新科蒋忠伟林锦沛杨永凯贺威方明黎晓华钟泽黄双武
立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法
本发明提供了一种立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法，通过在立体衬底上集成多个HEMT器件，并通过互联介质层内的互联金属实现各器件之间的互联，制备出了高集成的氮化镓基HEMT器件，是HEMT具有更高的功率以及更低的功耗...
刘新科杨永凯黄烨莹蒋忠伟黎晓华
立体氮化镓基PN二极管及制备方法
本发明提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法，其中，一种立体氮化镓基PN二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层；各器件...
刘新科张雅婷黄烨莹蒋忠伟黎晓华
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