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王飞尧

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇诱生
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇重掺杂
  • 1篇硅单晶

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇沈益军
  • 1篇李立本
  • 1篇杨德仁
  • 1篇阙端麟
  • 1篇马向阳
  • 1篇黄笑容
  • 1篇王飞尧

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷被引量：6
2004年
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .
黄笑容杨德仁沈益军王飞尧马向阳李立本阙端麟
关键词：氧沉淀
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