章宁琳
- 作品数：15 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划基础研究重大项目前期研究专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
- 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法,属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构,介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料;周期常数a:0.18～0.5μm...
- 章宁琳宋志棠林成鲁汪洋
- 文献传递
- 体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索
- SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题，本文根据国家973项目，国家自然科学基金等国家任务的需要，开展了体Si和SOI上高κκ介质材料的制备、性能及其应用的研究，获得的主要结果如下： 采用超高真空...
- 章宁琳
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- 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
- 2003年
- 采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .
- 章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁
- 关键词：全耗尽SOI高K栅介质ZRO2
- 衬底温度对PLD法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的影响
- 采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO<,2>/Si和SiO<,2>/Si衬底上制备了ZrO<,2>薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研究了衬底温度对ZrO<,2>薄膜结晶性能的影响...
- 章宁琳宋志棠刑溯万青林成鲁
- 关键词：PLD法衬底温度电学性能脉冲激光沉积气体传感器
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- 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
- 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法，属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构，介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料；周期常数a：0.18～0.5μm...
- 章宁琳宋志棠林成鲁汪洋
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- 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
- 本发明涉及一种以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料及制备方法,属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成,顶层单晶硅,厚度100－2000nm,...
- 万青章宁琳林青沈勤我张苗林成鲁
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- 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
- 章宁琳宋志棠林成鲁汪洋
- 本发明涉及具有不同于SiO_2的绝缘埋层的二维光子晶体波导及制备方法。更确切地说，涉及一种采用改进智能剥离（Smart-Cut）技术先制备具有双绝缘埋层的绝缘埋层上的硅（SOI）基底；然后结合传统的微细加工技术制备二维光...
- 关键词：
- 关键词：绝缘体上硅
- 以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜被引量：3
- 2002年
- 为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构。当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空气氛围650oC快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜。最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm。
- 万青王连卫邢朔章宁琳沈勤我林成鲁
- 关键词：铁电薄膜过渡层PZTPLD氧化铝
- 体Si和SOI上高κ介质材料研究和应用探索
- SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题,该文根据国家973项目,国家自然科学基金等国家任务的需要,开展了体Si和SOI上高κκ介质材料的制备、性能及其应用的研究.自主设计了SOI基二维光子晶体波导具体制...
- 章宁琳
- 关键词：SISOI
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- 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料的制备方法
- 本发明涉及一种以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料的制备方法，属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成，顶层单晶硅，厚度100-2000nm，...
- 万青章宁琳林青沈勤我张苗林成鲁
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