缪容之
- 作品数：15 被引量：4H指数：1
- 供职机构：宁波大学理学院物理系更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程电气工程更多>>
- 对Cluster模型的几点质疑
- 1988年
- 本文证明Cluster模型违背了细致平衡原理,指出了海中核子pick-up图象的不合理性。该模型的发射几率中不考虑复杂粒子正确构成的影响更是一个显著的倒退。
- 缪容之
- BaTiO_3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型被引量：3
- 1994年
- 本文分析了BaTiO_3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO_3半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。
- 郑振华缪容之陈羽
- 关键词：半导体陶瓷电容效应
- 非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析
- 1993年
- 本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。
- 周亚训陈培力王晓东白贵儒缪容之
- 关键词：发光效率
- 一种可能的新反应机制——双α转移
- 我所核物理实验室在测量余核的同时测量了出射α粒子的角分布和能谱,将两种测量结果进行了对比分析,指出Bi(C, α)Fr 反应在入射能量低于73Mev 的范围内贡献较大,总截面
- 徐树威吴国华缪容之韩飞
- 记忆粒子模型中碰撞比α_n的数值获取
- 1989年
- 本文给出了记忆粒子模型中n态时m粒子的碰撞比分α_n的数值获取方法;讨论了两种不同的初值赋值方法对结果的影响。在记忆粒子模型中采用本方法提供的α_n,计算预平衡发射与实验资料拟合良好。
- 缪容之
- 半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计
- 1995年
- 半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.
- 郑振华陈羽缪容之
- 关键词：半导体陶瓷边界层电容器电容器物理性能
- 《工科物理》的教学目标选择──《工科物理》教学改革初探之二
- 1994年
- 本文提出《工科物理》教学的首要目标不在于个别物理知识的传授，而是培育与发展学生科学思维的能力与品格．《工科物理》对置身于迅速更新换代的技术领域中的未来工程师提供必要的物理基础与新的起点．这门课对造就具有现代意识，开放的认识结构及较高文化品位的人有着十分重要的意义．
- 缪容之郑振华董建峰
- 关键词：工科物理科学思维文化品位
- 预平衡发射研究中的记忆粒子模型
- 1989年
- 高能的复合系统的激子被分成记忆粒子m与非记忆粒子r两部份.在引入n态m粒子碰撞比α_n后,建立了m与r粒子态-角占据几率的耦合主方程,给出了区分m、r粒子的态密度与发射几率公式.计算结果表明本模型对实验的拟合较广义激子模型有明显改进.
- 缪容之
- 半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析被引量：1
- 1993年
- 电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量结果,并探讨了减弱电压效应的方法.半导体陶瓷的电学性能主要是由晶界附近因电子结构不同而形成的晶界高阻层决定的,而晶界高阻层就是晶界附近的势垒层。
- 郑振华缪容之陈羽
- 关键词：电阻率陶瓷半导体
- 载流子穿越具有双Mott势垒的半导体晶界的输运行为
- 1997年
- 讨论了穿越具有双Ｍｏｔｔ势垒的ｎ型半导体晶界的载流子输运行为，重点分析了受主缺陷扩散层对偏压下晶界势垒、直流电流、非线性特性和电容等的作用。晶界势垒在偏压下的变化决定了载流子穿越晶界的输运行为分为预击穿、击穿和回复三个区域。受主缺陷扩散层的存在改变了势垒及其偏压关系，使电流的变化和非线性特性大幅度加强，很大程度上决定了预击穿区的漏电流；同时也使势垒加宽而减小高频电容。
- 郑振华缪容之
- 关键词：多晶载流子输运
