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肖文锐

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇LDMOS
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇虚拟制造
  • 1篇氧化层
  • 1篇运放
  • 1篇运放设计
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇设计方法
  • 1篇自对准
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇高压器件
  • 1篇沟道
  • 1篇硅栅
  • 1篇RESURF

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇肖文锐
  • 2篇王纪民
  • 1篇曹林

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高压MOS运放设计
肖文锐
关键词：运放
三端自由高压LDMOS器件设计被引量：3
2004年
　应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350V和320V。
肖文锐王纪民
关键词：LDMOSRESURF虚拟制造高压器件击穿电压
0.35μm LDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法
0.35μm LDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法属于高压功率显示驱动阵列技术领域，其特征在于：在标准的0.5μm工艺兼容的基础上增加两次P、N沟道区离子注入和两次P、N漂移区离子注入，即使栅氧化层厚度到达100并...
王纪民曹林肖文锐
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