范玉峰
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重大项目教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ZrO_2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响
- 2004年
- 在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响。掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0 2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰。而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向。
- 刘柳刘纯亮郭滨刚范玉峰夏星
- 关键词：等离子体显示板氧化锆
- 提高平板荫罩分辨率设计方法的分析与改进
- 2001年
- 本文对提高 CPT清晰度的平板荫罩设计方法进行了分析。改进的设计保证了节距分布的连续性 ,提高了管子的分辨率。新设计的管子不用制作新的荫罩成型模具 ,它的制作也可以在普通彩管的流水线上完成 ,而且制成的多媒体管子显示质量良好 ,表明改进后的方法是有效可行的。
- 王建琪张军范玉峰
- 关键词：彩色显像管分辨率
- 电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究被引量：1
- 2005年
- 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。
- 郭滨刚刘纯亮刘柳范玉峰夏星
- 关键词：复合介质ZRO2晶格畸变衍射电子束
- 两点触发放电型交流等离子体显示屏及其驱动技术
- 2004年
- 为了克服现有技术制作的彩色等离子显示屏存在的亮度和发光效率较低的缺点,提出一种全新结构的显示屏及其驱动技术.该屏的寻址放电和维持放电在不同的间隙产生,解除了寻址与维持工作状态的相互制约.选取较小的寻址放电间隙可降低寻址电压,从而降低寻址的功耗,而选取较大的维持放电间隙可提高显示屏的亮度和发光效率.实验结果表明,采用新结构显示屏,其峰值亮度可达600cd/m2.
- 梁宁范玉峰刘纯亮
- 关键词：彩色等离子体显示屏放电间隙
