路忠林
- 作品数：6 被引量：37H指数：4
- 供职机构：东南大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 单晶和孪晶的Zn_(0.96)Co_(0.04)O稀磁半导体薄膜的制备与研究被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1120)晶面(a面)上薄膜是二维层状外延生长的高质量单晶薄膜,而在Al2O3(0001)晶面(c面)上薄膜却具有有趣的孪晶结构,部分区域相互之间有一个30°的面内转动来减少和基片之间的失配度.在孪晶薄膜中存在的这些相互旋转形成的区域界面上会引起载流子强烈的散射作用,导致载流子迁移率的下降和平均自由程的缩短.利用X射线吸收精细结构技术证明了无论单晶还是孪晶的Zn0.96Co0.04O薄膜中所有的Co都以+2价替代进入了ZnO的晶格,而没有形成任何杂相.而对其磁性研究发现,孪晶的薄膜样品比高质量的单晶薄膜样品具有大得多的饱和磁矩.这充分说明孪晶薄膜中的铁磁性来源与缺陷有关.我们还对铁磁性耦合机制进行了探讨.
- 路忠林邹文琴徐明祥张凤鸣
- 关键词：稀磁半导体X射线吸收精细结构
- Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究被引量：10
- 2009年
- 使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23μB—0.61μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.
- 邹文琴路忠林王申刘圆陆路郦莉张凤鸣都有为
- 关键词：磁性半导体
- 多晶Si_(0.9654)Mn_(0.0346):B薄膜的磁性研究
- 2008年
- 利用磁控溅射和快速热处理的方法制备了Mn,B共掺的多晶硅薄膜(Si0.9654Mn0.0346:B).磁性和结构研究发现薄膜有两个铁磁相.低温铁磁相来源于杂相Mn4Si7,高温铁磁相(居里温度TC^250 K)是由Mn原子掺杂进入Si晶格导致.晶化后的薄膜利用射频等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)进行短暂(4 min)的氢化处理后发现,薄膜的微结构没有发生变化而饱和磁化强度却随着载流子浓度的增大而增大.样品的饱和磁化强度和载流子浓度密切相关为验证在硅基磁半导体中磁性是以空穴为媒介的这一理论提供了有力的证据.
- 刘兴翀陆智海路忠林张凤鸣都有为
- 关键词：磁性半导体硅氢化
- 稀释磁性半导体Sn_(1-x)Mn_xO_2的室温铁磁性被引量：15
- 2005年
- 采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.
- 匡安龙刘兴翀路忠林任尚坤刘存业张凤鸣都有为
- 关键词：铁磁性烧结温度
- 半金属Zn<,x>Fe<,3-x>O<,4>纳米晶和薄膜的磁性、输运特性的研究
- 自1988年巨磁电阻效应(GMR)发现以来，人们发现传统电子学仅仅利用了电子的电荷这个自由度，而进一步集成和利用电子的自旋这个自由度可以大大增强和扩展目前传统电子学器件的功能。近年来迅速成长为凝聚态物理和材料、微电子学等...
- 路忠林
- 关键词：凝聚态物理稀磁半导体自旋电子学纳米晶薄膜
- 共沉淀法制备Co掺杂ZnO的室温铁磁性的研究被引量：10
- 2009年
- 利用共沉淀法并在5vol.%H2/Ar气流中于300℃退火3h,制备了Zn1-xCoxO稀磁半导体.扫描电子微探针分析表明,对Co的名义组分分别为0.05,0.10,0.15的样品,其实际组分分别为x=0.054,0.100和0.159.X射线衍射表明,主相为纤锌矿结构,x=0.100和0.159的样品中含有CoO杂相.X射线光电子谱显示出Co有3种状态:替代进入ZnO晶格、CoO和金属Co.通过磁性测量,发现所有样品都具有室温铁磁性,但是磁性是非本征的,一方面来自金属Co团簇的磁性,另一方面来自Zn掺杂CoO1-δ的弱磁性.
- 严国清谢凯旋莫仲荣路忠林邹文琴王申岳凤娟吴镝张凤鸣都有为
- 关键词：稀磁半导体ZNO共沉淀法
