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郭经纬
作品数:
9
被引量:7
H指数:2
供职机构:
重庆大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
交通运输工程
机械工程
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合作作者
胡盛东
重庆大学
杨冬
重庆大学
黄野
重庆大学
袁琦
重庆大学
唐枋
重庆大学
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机构
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重庆大学
作者
9篇
郭经纬
7篇
胡盛东
4篇
袁琦
4篇
黄野
4篇
杨冬
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李平
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唐枋
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胡伟
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李见为
1篇
刘畅
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罗焕发
传媒
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电子测量技术
年份
3篇
2020
3篇
2019
1篇
2018
2篇
2009
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9
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一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件,属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N<Sup>+</Sup>硅层、有源顶层硅和槽形结构;所述衬底N<Sup>+</Sup>硅层下方设置有漏电极;所述有源顶层硅设...
胡盛东
黄野
郭经纬
杨冬
袁琦
刘畅
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET,属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括:漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源...
李平
郭经纬
林智
胡盛东
唐枋
文献传递
一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件,首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱,在器...
胡盛东
郭经纬
杨冬
黄野
袁琦
胡伟
汤培顺
唐唯净
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的IGBT
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的IGBT器件,属于半导体功率器件领域。该IGBT器件包括:集电极金属、P型集电区、N型场终止层、N型漂移区、P型埋层、N型载流子存储层、P型体区、P+源区、N+源区、发射极金属、介质隔离...
李平
郭经纬
林智
胡盛东
唐枋
文献传递
TC35i在汽车指纹报警模块的设计与实现
被引量:4
2009年
针对现有汽车报警器的缺点,论文提出了利用符合全球移动通信系统GSM标准的远程通信模块TC35i来实现汽车安全报警的思路。按照这种思路,完成了汽车指纹报警模块的硬件设计和软件编程,并在实验室条件下实现了报警模块的功能测试。测试结果表明,软件和硬件设计达到要求,报警模块能正常报警。该报警模块能够克服现有汽车报警器的缺点,具有覆盖面广、成本低费用便宜、无噪声污染、不受地区限制等优点,因而具有实际应用意义。
郭经纬
李见为
罗焕发
关键词:
汽车
基于GSM的汽车指纹报警模块的设计与实现
随着中国经济的崛起和技术的革新,人们生活水平的不断提高。曾经是奢侈品的汽车,现在已经进入了寻常百姓的家庭。汽车为人们的生活带来了极大的便利,但随之而来的汽车防盗已成为急需解决的社会问题。现在市场上的汽车报警装置,普遍存在...
郭经纬
关键词:
指纹识别
嵌入式系统
文献传递
一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件,首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱,在器...
胡盛东
郭经纬
杨冬
黄野
袁琦
胡伟
汤培顺
唐唯净
文献传递
一种横向功率MOS高压器件
本发明涉及一种横向功率MOS高压器件,包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区,N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方,多层衬底P型硅层包括n层P型硅层,P型硅层的层数n为大于或等于2的整数,第n层P型硅层与第(n‑1)...
胡盛东
黄野
杨冬
袁琦
郭经纬
林智
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET,属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括:漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源...
李平
郭经纬
林智
胡盛东
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