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郭经纬

作品数:9 被引量:7H指数:2
供职机构:重庆大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术交通运输工程机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 5篇导通
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电阻
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇硅栅
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇指纹
  • 2篇漂移区
  • 2篇汽车
  • 2篇击穿电压

机构

  • 9篇重庆大学

作者

  • 9篇郭经纬
  • 7篇胡盛东
  • 4篇袁琦
  • 4篇黄野
  • 4篇杨冬
  • 3篇李平
  • 3篇唐枋
  • 2篇胡伟
  • 1篇李见为
  • 1篇刘畅
  • 1篇罗焕发

传媒

  • 1篇电子测量技术

年份

  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件,属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N<Sup>+</Sup>硅层、有源顶层硅和槽形结构;所述衬底N<Sup>+</Sup>硅层下方设置有漏电极;所述有源顶层硅设...
胡盛东黄野郭经纬杨冬袁琦刘畅
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET,属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括:漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源...
李平郭经纬林智胡盛东唐枋
文献传递
一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件,首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱,在器...
胡盛东郭经纬杨冬黄野袁琦胡伟汤培顺唐唯净
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的IGBT
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的IGBT器件,属于半导体功率器件领域。该IGBT器件包括:集电极金属、P型集电区、N型场终止层、N型漂移区、P型埋层、N型载流子存储层、P型体区、P+源区、N+源区、发射极金属、介质隔离...
李平郭经纬林智胡盛东唐枋
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TC35i在汽车指纹报警模块的设计与实现被引量:4
2009年
针对现有汽车报警器的缺点,论文提出了利用符合全球移动通信系统GSM标准的远程通信模块TC35i来实现汽车安全报警的思路。按照这种思路,完成了汽车指纹报警模块的硬件设计和软件编程,并在实验室条件下实现了报警模块的功能测试。测试结果表明,软件和硬件设计达到要求,报警模块能正常报警。该报警模块能够克服现有汽车报警器的缺点,具有覆盖面广、成本低费用便宜、无噪声污染、不受地区限制等优点,因而具有实际应用意义。
郭经纬李见为罗焕发
关键词:汽车
基于GSM的汽车指纹报警模块的设计与实现
随着中国经济的崛起和技术的革新,人们生活水平的不断提高。曾经是奢侈品的汽车,现在已经进入了寻常百姓的家庭。汽车为人们的生活带来了极大的便利,但随之而来的汽车防盗已成为急需解决的社会问题。现在市场上的汽车报警装置,普遍存在...
郭经纬
关键词:指纹识别嵌入式系统
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一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件,首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱,在器...
胡盛东郭经纬杨冬黄野袁琦胡伟汤培顺唐唯净
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一种横向功率MOS高压器件
本发明涉及一种横向功率MOS高压器件,包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区,N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方,多层衬底P型硅层包括n层P型硅层,P型硅层的层数n为大于或等于2的整数,第n层P型硅层与第(n‑1)...
胡盛东黄野杨冬袁琦郭经纬林智
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一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET,属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括:漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源...
李平郭经纬林智胡盛东唐枋
文献传递
共1页<1>
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