韩明
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
- 2005年
- 研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。
- 周斌孙骐韩明熊斌吴广明黄耀东沈军
- 关键词：离子束刻蚀
- 惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入
- 2001年
- 平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型 .以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为 3— 4μm的Si平面薄膜 ,以热蒸发结合脱膜工艺制备Al平面薄膜 ,两者的表面粗糙度分别为 30nm和 10nm左右 ;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形 ,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜 。
- 周斌王珏沈军徐平吴广明邓忠生孙骐艾琳陈玲燕韩明熊斌王跃林
- 关键词：离子束刻蚀
- 电容式微差压传感器制作、模拟与测试
- 本文提出了一种新型的电容式微差压伺服传感器,并论述了其结构组成和制作工艺.并对其进行了有限元模拟和用频率调制电路进行了初步测试,检测结果表明该器件对小于100Pa的差压敏感.
- 车录锋韩明王跃林
- 关键词：微差压传感器有限元模拟
- 文献传递
- 自停止腐蚀工艺的观察
- 本文利用不同浓度的KOH溶液对硼掺杂浓度小于1×10<'19>cm<'-3>时的<100>硅,腐蚀速率为常数,而硼掺杂浓度超过该浓度时,腐蚀迅率迅速下降的特点,来制备薄膜的用此方法可以制备厚度在5μm以下的悬梁结构.
- 唐圣明陈思琴韩明
- 关键词：半导体器件
- 文献传递
- 自停止腐蚀工艺的观察被引量：1
- 2001年
- 唐圣明陈思琴韩明
- 关键词：微机械器件
- 一种对称电容式微差压伺服传感器
- 报道一种测量差压值在1Pa-100Pa左右的高灵敏度差压传感器。在有限元分析的方法对结构进行形变模拟的基础上，对差压传感器的电容值和伺服电压值进行了理论计算。在此结果上结合工艺条件，最终确定结构参数。实际工艺上用浓硼扩散...
- 韩明王跃林解健芳
- 关键词：伺服有限元分析
- 自停止腐蚀工艺的观察
- 唐圣明陈思琴韩明
- 文献传递
- 驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜被引量：2
- 2000年
- 介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对 Si片的定向自截止腐蚀 ,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑 Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在 3～ 4 μm的 Si平面薄膜 ,在扫描范围为 1 0 0 0 μm时 ,它的表面粗糙度为几十纳米 ;SEM测量表明 ,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级 ;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低 Si膜表面粗糙度的方法。
- 周斌韩明陆卫昌徐平赖珍荃沈军邓忠生吴广明张勤远陈玲燕王珏
