李慧 作品数:8 被引量:6 H指数:2 供职机构: 武汉大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家教育部博士点基金 中国博士后科学基金 更多>> 相关领域: 理学 一般工业技术 金属学及工艺 更多>>
团簇离子束纳米加工技术研究进展 2014年 团簇离子束是带电的团簇,可以在电场、磁场作用下加速、传输或偏转,形成几个eV到几个MeV能量的离子束。文中阐述了团簇离子束的基本概念、产生方法和主要应用。大尺寸气体团簇和硼基团簇必须用高压气体超声绝热膨胀方法产生,然后通过电子碰撞电离形成团簇正离子。硼团簇用于超浅结制备,实现了结深为10-20nm的超浅注入;包含数千原子的大团簇则被用于半导体的表面平化,获得了粗糙度在0.7nm以下的平滑表面。用铯溅射离子源可以产生几个到几十个原子的负离子小团簇,包括B、C、F、Si及其分子团簇(SiB、GeB)。其中,硼基分子团簇离子束已用于对半导体进行瞬态增强扩散掺杂,与半导体表面的离子注入非晶化工艺相结合,实现了接近纳米量级的超浅注入。碳系团簇最近被用于超薄材料制备,获得了单层和双层石墨烯,并发现团簇离子束引起的非线性辐照损伤对石墨烯的形成具有重要影响。结果表明:团簇离子技术在超大集成电路和新型超薄纳米材料制备等领域具有广泛的应用前景。 张早娣 李慧 王泽松 付德君关键词:超浅结 石墨烯 离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究 被引量:2 2007年 用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中,样品分别在600℃,800℃和1100℃进行了退火,并在1100℃时作了1h,2h、3h和4.5h的退火。用透射电镜(TEM)和光致发光(PL)研究了退火温度以及退火时间对样品的微结构和发光特性的影响。实验表明,退火后样品中形成了SiC纳米颗粒,PL谱中观察到了缺陷和SiC纳米颗粒的发光。 李慧 卢卓宇 蒋昌忠 任峰 肖湘衡 蔡光旭关键词:碳化硅 光致发光 热退火 准二维电荷密度波导体钾紫青铜K_xMo_6O_(17)单晶样品的制备 被引量:3 2004年 采用碳酸盐替代高钼酸盐电解还原的方法成功制备出了准二维电荷密度波导体钾紫青铜单晶 .通过x射线衍射、透射电子显微术等方法对单晶进行结构分析表明 :晶胞参数a =b =0 5 5 4 0nm ,c =1 35 0 8nm ,单晶为三角晶系 ,对称群为P3- .电阻温度关系曲线的测量显示 :钾紫青铜KxMo6 O1 7单晶在 王俊峰 熊锐 余恒 李慧 汤五丰 余祖新 石兢 田德诚 田明亮 张裕恒关键词:电荷密度波 PEIERLS相变 晶胞参数 加速器联机装置高压束线运行状况 武汉大学加速器联机装置主体设备是1.7MV串列加速器和200kV离子注入串列加速器束线可进行团簇注入和离子束分析.更新了1.7MV串列加速器的加速管,对离子能量进行了校准,可稳定输出1.2MV的主高压.用Labview ... 张早娣 李慧 王泽松 付德君串列加速器装置的功能扩展 被引量:1 2014年 通过在2×1.7MV串列加速器前端设计并安装静电扫描装置和靶室,扩展了其0~30keV低能注入和沉积功能.利用低能离子注入的方法分别在Ni/SiO2和铜箔衬底上得到石墨烯薄膜,并运用Raman光谱和扫描电子显微镜研究了样品的形貌、薄膜层数及缺陷等性质.实验结果表明,在铜箔衬底上得到双层石墨烯薄膜.通过调试高能端和200keV注入机联机实验,在双束靶室中得到He,Li,C,N,Fe离子束,用于双束注入和辐照损伤等研究. 尚艳霞 王泽松 张早娣 张瑞 李慧 周霖 黎明 刘家瑞 付德君关键词:串列加速器 石墨烯 离子束弹性背散射光谱分析经离子注入改性的玻璃填充红宝石(英文) 2017年 宝石业是泰国的重要产业之一,但大多数宝石并不完美且带有缺陷,常采用玻璃填充的方法来处理。但该方法填充的宝石含有有毒重金属,因此急需开发新的宝石改性技术。离子束是近来发展起来的新技术,可以用来处理玻璃填充的宝石并可以去除其含有的有毒金属。文中采用泰国本地的玻璃填充红宝石样品先经80 kV加速的氮离子束注入至1017 ions/cm^2剂量,然后分别在泰国清迈和中国武汉用2 Me V和1.7 Me V的质子束做弹性背散射光谱分析。研究了离子束处理前后,玻璃填充宝石的金属杂质、含量及其分布。两地的分析结果互相印证、共同揭示了宝石中主要的有毒金属是铅,铅的浓度经离子束处理后约为0.15%,比离子束处理前降低了20倍,且铅在宝石中的分布是均匀的。结果表明:离子束是一种有效的处理玻璃填充宝石的方法。 差崴.差庸 李慧 俞良登 任峰 坎万纳.提拉萨 维来通.提拉派特 提帕万.乌冬拉关键词:离子注入 红宝石 铅 2×1.7MV串列加速器功能扩展及应用研究 在加速器-电镜联机装置的基础上,发展了加速器系统的两项扩展功能应用:低能团簇离子注入系统和加速器-离子注入机三束辐照系统。前者是在铯溅射负离子源的引出端和串列加速管之间建立了低能靶室,安装有法拉第杯式样品台,从离子源引出... 王泽松 张早娣 李慧 周溯源 付德君C_n团簇注入制备石墨烯的研究进展 2016年 石墨烯是碳原子构成的单层二维晶体,在高频电子学和光电子器件领域具有广泛应用前景,厚度可控的大面积石墨烯的制备是实现规模化应用的前提。文中在介绍现有石墨烯制备技术优缺点的基础上,重点介绍了近几年离子注入过渡金属镍制备石墨烯的研究成果。研究表明:在低能碳团簇C_n注入制备石墨烯的过程中,离子能量、注入剂量、团簇尺寸、基体材料特性和退火条件是影响石墨烯物理性质的重要因素。团簇离子注入在基体表层引起的辐照损伤具有非线性效应,精确控制剂量的C_n团簇注入到基体中主要起到提供可控掺杂碳源的作用,高质量石墨烯的合成需要进行多晶基体预热处理以减少晶界密度,同时需采取精细的后续热处理工艺,控制碳原子在基体表面横向扩散和偏析,以满足石墨烯形核生长的关键条件。 王泽松 李慧 付德君关键词:石墨烯 拉曼光谱 扩散 偏析