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陆小力

作品数：76 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 75篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 32篇氧化镓
  • 13篇二极管
  • 12篇钛酸
  • 11篇功率二极管
  • 11篇掺杂
  • 10篇电极
  • 9篇自支撑
  • 8篇单晶
  • 8篇旋涂
  • 8篇阳极
  • 8篇硫酸铵溶液
  • 8篇纳米
  • 8篇晶体管
  • 8篇聚甲基丙烯酸
  • 8篇聚甲基丙烯酸...
  • 8篇击穿电压
  • 8篇甲基
  • 8篇甲基丙烯
  • 8篇甲基丙烯酸
  • 7篇纳米线

机构

  • 76篇西安电子科技...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 76篇陆小力
  • 73篇郝跃
  • 48篇马晓华
  • 35篇何云龙
  • 30篇郑雪峰
  • 24篇张进成
  • 11篇张春福
  • 10篇张方
  • 9篇张吉文
  • 8篇王涛
  • 7篇许晟瑞
  • 6篇王贺
  • 6篇冯倩
  • 6篇代波
  • 6篇杜锴
  • 6篇董良
  • 5篇姜腾
  • 5篇林志宇
  • 5篇杨凌
  • 4篇侯斌

年份

  • 1篇2024
  • 13篇2023
  • 16篇2022
  • 12篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2018
  • 9篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 8篇2014
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用弯曲应力调控铁氧体单晶薄膜磁性的方法
本发明公开了一种利用弯曲应力调控铁氧体单晶薄膜磁性的方法，主要解决现有技术调控铁氧体磁场强度耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积方法在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长铁酸钴薄膜；2.在铁酸钴薄膜表面旋涂聚苯乙...
陆小力黄玉瑶姚会娟王涛张稀铁张进成郝跃
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一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
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基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将...
姜腾许晟瑞郝跃张进成张金风林志宇雷楠陆小力
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利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法
本发明公开了一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，主要解决现有技术调控铁电材料铁电性能耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长单晶钛酸钡薄膜；2.在钛酸...
陆小力姚会娟王涛黄玉瑶吴飞虎张进成郝跃
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基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件
本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层的禁带...
马晓华陆小力郑雪峰王志成何云龙郝跃
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基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器
本发明公开了一种基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器的制作方法，主要解决现有磁场强度传感器灵敏度低且不能弯曲的问题。其实现方案是：1.在钛酸锶衬底上沉积一层镧锶锰氧薄膜，并在镧锶锰氧薄膜上依次沉积铁酸钴和钛酸钡薄膜，得到...
陆小力吴飞虎史泽堃王贺黄玉瑶张进成郝跃
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基于氮化铝薄膜的日盲型柔性紫外光探测器
本发明公开了一种基于氮化铝薄膜的日盲型柔性紫外光探测器，主要解决现有日盲型紫外光探测器灵敏度低且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化锌做牺牲层的蓝宝石衬底上生长氮化铝薄膜；2.在氮化铝薄膜表面旋...
陆小力史泽堃张稀铁王涛姚会娟张进成郝跃
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一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法
本发明涉及一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法，包括步骤：S1、在牺牲层上生长氧化镓，形成氧化镓层；S2、将所述氧化镓层转移到弯曲衬底上，使所述氧化镓层形成弯曲状；S3、将所述氧化镓层与所述弯曲衬底进行键合；S4...
陆小力马晓华何云龙章舟宁杨凌郝跃
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一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法
本发明公开了一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法，该方法包括：对于较大器件尺寸、测量精度要求不高、定性评估主要热源区域或热失效定位的宽禁带半导体功率器件热表征应用需求，采用红外热成像方式；对于较小器件尺寸、...
张栢胜李园马晓华陆小力韩超黄永何云龙赵元富郝跃
一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
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