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何青芳

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇钛片
  • 6篇疾病特征
  • 6篇SUB
  • 4篇电极
  • 4篇形貌
  • 4篇形貌可控
  • 4篇膜电极
  • 4篇薄膜电极
  • 3篇传感
  • 3篇LT
  • 2篇纳米
  • 2篇传感检测
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇钛酸
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米棒阵列
  • 1篇感器
  • 1篇超纯水
  • 1篇传感器

机构

  • 6篇杭州电子科技...

作者

  • 6篇高力
  • 6篇厉力华
  • 6篇崔静洁
  • 6篇何青芳
  • 6篇黄震
  • 6篇刘宏

年份

  • 3篇2016
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种TiO<sub>2</sub>纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是将纯钛片浸泡在浓度为4～8mmol/L的钛酸异丁酯醇溶液中，置于内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内，封闭，拧紧反应釜，置于120～1...
崔静洁刘宏黄震厉力华高力何青芳
文献传递
一种TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片在浓度为8～10mol/L的HCl溶液或H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>溶液中浸...
崔静洁刘宏黄震厉力华高力何青芳
文献传递
一种TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片置于浓度为11～13mol/L的NaOH溶液或KOH溶液中浸泡1～6天后，用超纯水清洗后，浸入到浓度为0...
崔静洁刘宏黄震厉力华高力何青芳
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一种TiO<Sub>2</Sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片在浓度为8～10mol/L的HCl溶液或H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>溶液中浸...
崔静洁刘宏黄震厉力华高力何青芳
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一种TiO<Sub>2</Sub>纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是将纯钛片浸泡在浓度为4～8mmol/L的钛酸异丁酯醇溶液中，置于内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内，封闭，拧紧反应釜，置于120～1...
崔静洁刘宏黄震厉力华高力何青芳
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一种TiO<Sub>2</Sub>纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用
本发明公开一种TiO<Sub>2</Sub>纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片置于浓度为11～13mol/L的NaOH溶液或KOH溶液中浸泡1～6天后，用超纯水清洗后，浸入到浓度为0...
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