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刘全胜

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇约瑟夫森结
  • 8篇绝缘
  • 5篇底电极
  • 5篇衬底
  • 5篇磁场
  • 4篇电极
  • 4篇超导
  • 3篇绝缘材料
  • 3篇NB
  • 3篇NBN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇低温胶
  • 2篇地球环境
  • 2篇电磁
  • 2篇对电极
  • 2篇引出电极
  • 2篇三维磁场
  • 2篇三维磁场测量
  • 2篇射频电磁场

机构

  • 19篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 19篇刘全胜
  • 18篇王会武
  • 18篇王镇
  • 14篇应利良
  • 2篇刘晓宇
  • 2篇张国峰
  • 2篇蒋坤
  • 2篇谢晓明
  • 2篇马林贤

年份

  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构
本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于...
刘全胜王会武应利良张国峰王镇
文献传递
氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法
本发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法，包括：在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构；通过刻蚀形成底电极图形；形成约瑟夫森结；沉积第二...
刘全胜王会武张栖瑜应利良王镇
文献传递
基于NbN/AlN/NbN约瑟夫森结的dc-SQUID磁强计制备和特性研究
刘全胜王会武张栖瑜彭炜王镇
一种超导量子干涉器件的封装结构
本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽...
张栖瑜王会武刘全胜蒋坤应利良王镇
文献传递
NbN/AlN/NbN约瑟夫森结的制备工艺及电学特性研究
我们在单晶MgO 衬底上制备了高质量的NbN/AlN/NbN 三层薄膜,研究了基于此三层膜的约瑟夫森结的微加工工艺,并制备了具有不同AlN 绝缘层厚度的约瑟夫森结.在4.2K 温度下,对上述约瑟夫森结的电流- 电压特性曲...
刘全胜王会武王镇
三维磁场测量组件及制备方法
本发明提供一种三维磁场测量组件及制备方法，组件至少包括：衬底、制备在所述衬底上第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第一探测线圈、第二探测线圈以及第三探测线圈，其中，所述第一探测线圈与第一SQUID...
王会武张栖瑜刘全胜应利良王镇
文献传递
三维磁场测量组件及制备方法
本发明提供一种三维磁场测量组件及制备方法，组件至少包括：衬底、制备在所述衬底上第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第一探测线圈、第二探测线圈以及第三探测线圈，其中，所述第一探测线圈与第一SQUID...
王会武张栖瑜刘全胜应利良王镇
氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法
本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并...
王会武刘全胜张栖瑜应利良王镇
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基于NbN/AlN/NbN约瑟夫森结的超导量子干涉器件的制备和特性研究
NbN薄膜由于具有较高超导临界转变温度和较大能隙等特点使其在超导电子学研究中具有很大学术价值和应用潜力.利用在MgO(100)衬底上外延生长的NbN/AlN/NbN三层膜,我们设计了NbN约瑟夫森结和超导量子干涉器件(S...
刘全胜王会武彭炜王镇
关键词：SQUIDNBN约瑟夫森结
全张量磁场梯度测量组件及制备方法
本发明提供一种全张量磁场梯度测量组件及制备方法，至少包括：衬底、制备在所述衬底上的第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第四SQUID器件、第五SQUID器件以及第一梯度线圈、第二梯度线圈、第三梯度...
王会武张栖瑜刘全胜应利良王镇
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